Wyniki 1-4 spośród 4 dla zapytania: authorDesc:"ROMUALD B. BECK"

Modelowanie rozkładu energetycznego jonów w plazmie w. cz. przez dopasowanie teoretycznych profili poimplantacyjnych do profilu uzyskanego z pomiarów SIMS

Czytaj za darmo! »

Proces reaktywnego trawienia jonowego (RIE) w plazmie o wysokiej częstotliwości jest najbardziej znanym procesem trawienia anizotropowego i jednym z najbardziej krytycznych etapów w technologii mikroelektronicznej. Umiejętność określania i kontrolowania zjawisk zachodzących w objętości plazmy, w tym i rozkładu energii jonów podczas procesu trawienia, stanowi jeden z głównych kroków na drodze[...]

Technologia i zastosowanie warstw tlenko-azotków krzemu wytwarzanych metodą PECVD do struktur pamięciowych z podwójną warstwą dielektryczną (SiOxNy-HfO2)

Czytaj za darmo! »

Zachowanie tendencji zmniejszania wymiaru charakterystycznego elementarnych przyrządów krzemowych stanowi dla współczesnej nanoelektroniki duże wyzwanie, szczególnie, jeśli chodzi o materiał na dielektryki bramkowe w przyrządach typu MOS. Poniżej pewnej grubości tlenku krzemu - dielektryka najczęściej stosowanego w technologii krzemowej - radykalnie rosną prądy upływu, dlatego rozwojowi wsp[...]

Ultra-płytka implantacja fluoru z plazmy w.cz. jako metoda poprawy właściwości elektro-fizycznych struktur MIS z dielektrykami bramkowymi wytwarzanymi metodą PECVD


  Zalecane przez ITRS (z ang. International Technology Roadmap for Semiconductors) zmniejszanie wymiaru charakterystycznego przyrządów półprzewodnikowych stymuluje ciągły proces wprowadzania nowych rozwiązań materiałowo-konstrukcyjnych do technologii kolejnych generacji układów scalonych [1]. Jedną z przełomowych zmian w ostatnich latach było całkowite zastąpienie termicznego tlenku krzemu (SiO2) (właściwie dwutlenku krzemu, ale w żargonie technologicznym mówi się po prostu - tlenek krzemu), używanego dotychczas w funkcji dielektryka bramkowego w najbardziej zaawansowanych układach CMOS, materiałem dielektrycznym o wysokiej wartości przenikalności elektrycznej, tzw. high-k dielectric [2]. Wciąż trwają prace zmierzające do poprawy niezawodności i powtarzalności technologii wytwarzania warstw izolacyjnych, które miałyby służyć jako dielektryki bramkowe w strukturach MOS. Jedną z metod jest wprowadzanie jonów fluoru w obszar bramki [3, 4]. Wykazano, że wprowadzenie fluoru w obszar bramkowy powoduje poprawę szeregu parametrów elektro-fizycznych struktur półprzewodnikowych, m.in. redukcję niestabilności napięcia progowego [5], odporności na radiację [6], czy zmniejszenie generacji pułapek powierzchniowych w trakcie lawinowego wstrzykiwania dziur [7]. Do tej pory zaproponowano szereg metod implantacji jonów fluoru do obszaru półprzewodnika. Do metod tych możElektronika 2/2011 21 na zaliczyć m.in. klasyczną implantację jonów [8], osadzanie z fazy ciekłej LPD (z ang. Liquid Phase Deposition) [9], czy utlenianie w atmosferze zawierającej tlen (O2) i trójfluorek azotu (NF3) [10]. Każda z technologii posiada jednak swoje ograniczenia technologiczno-konstrukcyjne. Proces klasycznej implantacji wprowadza znaczne uszkodzenia strukturalne oraz radiacyjne powierzchni półprzewodnika i nie pozwala, z uwagi na zbyt duże energię jonów dostępne w tego typu urządzeniach, na powtarzalne implantowanie jonów na bardzo płytkie głębokości. Z kolei w t[...]

 Strona 1