Wyniki 1-5 spośród 5 dla zapytania: authorDesc:"P. Grabiec"

Znaczenie mikroelektroniki dla Czwartej Rewolucji Przemysłowej i cyberbezpieczeństwa DOI:10.15199/13.2016.8.18


  Artykuł przedstawia strategiczne relacje rozwijającej się Czwartej Rewolucji Przemysłowej, która została zainicjowana w USA jako Industrial Internet of Things i w Europie pod nazwą Industry 4.0, cyberbezpieczeństwa i mikroelektroniki. Wykazano, że mikroelektronika stanowi jedną z podstaw realizacji tej rewolucji i budowy cyberbezpieczeństwa. Na tle podejmowanych w innych krajach przedsięwzięć sygnalizowane są konsekwencje dla krajowej gospodarki. Słowa kluczowe: Czwarta Rewolucja Przemysłowa, Cyberbezpieczeństwo, Mikroelektronika.Wprowadzenie Czwarta Rewolucja Przemysłowa jest synonimem przemian zachodzących w gospodarce krajów rozwiniętych przemysłowo. Termin ten określa modernizację przemysłu, charakteryzującą się wysokim stopniem informatyzacji i automatyzacji procesów wytwórczych. Modernizacja polega na integracji sieci informatycznych i automatyki obejmującej całościowo procesy wytwarzania, logistyczne oraz współpracy z partnerami, krótko mówiąc sprowadza się do lawinowego wzrostu przepływu i przetwarzania informacji. Podstawowym pojęciem Czwartej Rewolucji Przemysłowej jest system cyberfizyczny (ang. Cyber Physical System, w skrócie CPS) stanowiący połączenie świata wirtualnego i fizycznego, który składa się z urządzenia, sterowanego przez system wbudowany, i komunikującego się z otoczeniem przy pomocy czujników i aktuatorów, sieci przewodowej lub bezprzewodowej ze światem zewnętrznym. Konsekwencją tego rozwoju jest wzrost możliwości adaptacyjnych i efektywności nie tylko przemysłu, ale całej gospodarki. Efektem towarzyszącym integracji sieci informatycznych i automatyki jest wzrost zagrożeń ze sfery cyberbezpieczeństwa, wynikający z faktu, że wszystko jest w globalnej sieci. Zapewnienie odpowiedniego poziomu bezpieczeństwa przed różnego rodzaju atakami (hacking, szpiegostwo przemysłowe, dywersja) stanowi duże wyzwanie dla administracji, przemysłu, nauki i instytucji działających w sferze bezpieczeństwa. Dla realizacj[...]

Piezorezystywna nanosonda AFM/SThM do badań termicznych w nanoskali DOI:10.15199/13.2016.8.5


  Pomimo bardzo dynamicznego rozwoju technologii wytwarzania nanostruktur i nanoprzyrządów (np. struktur grafenowych, czy też tranzystorów o głęboko submikronowych rozmiarach) wciąż brakuje uniwersalnych i wielofunkcyjnych narzędzi do analizy zjawisk w nanoskali. Dostępne techniki bazujące na mikroskopii sił atomowych (Atomic Force Microscopy - AFM) umożliwiają z reguły monitorowanie jednego typu parametrów: mechanicznych, termicznych lub elektrycznych. W publikacji przedstawiono rezultaty prac badawczych, których celem było opracowanie mikrodźwigni krzemowych z piezorezystywną detekcją ugięcia, wyposażonych w przewodzące ostrze platynowe. Do wytworzenia struktur sondy wykorzystano typowe procesy mikrotechnologii krzemowej oraz technikę FIB (Focused Ion Beam), która pozwala zredukować promień krzywizny ostrza do wartości mniejszych od 100 nm. Opracowany przyrząd umożliwia zarówno analizę topografii powierzchni oraz jej charakteryzację termiczną i jest użytecznym narzędziem do pomiarów mikro- i nanostruktur elektronicznych. Konstrukcja przyrządu pozwala na jego łatwą integrację z mikro- lub nanomanipulatorami oraz instalację w komorze próżniowej skaningowego mikroskopu elektronowego (SEM). Takie rozwiązanie umożliwia dokładną obserwację charakteryzowanej struktury oraz lokalizację sondy na jej powierzchni z nanometrową dokładnością w obszarze skanowania rzędu kilku centymetrów kwadratowych. Jest to niezwykle użyteczne przy analizie próbek o dużych rozmiarach. W publikacji przedstawiono rezultaty pomiarów termicznych na powierzchni mikro- i nanoprzyrządów elektronicznych przeprowadzonych przy użyciu przedstawionego systemu mikroskopu termicznego. Słowa kluczowe: nanometrologia, Mikroskopia Sił Atomowych, Skaningowa Mikroskopia Termiczna, czujniki piezorezystywne.Zasada działania mikroskopu z sondą skanującą SPM (ang. Scanning Probe Microsopy) polega na monitorowaniu oddziaływań między nanoostrzem, a badaną powierzchnią. Bardzo mał[...]

Nowe krzemowe detektory promieniowania - opracowania Instytutu Technologii Elektronowej

Czytaj za darmo! »

W końcu 2003 roku, w wyniku nawiązania kontaktów naukowych i współpracy z Institut für Radiochemie ? Technische Universität München (IR TUM), w ITE podjęto prace nad nową klasą unikatowych detektorów[...]

Detektory naładowanych cząstek opracowane w ITE dla nowego systemu detekcyjnego ALBEGA, opracowywanego w GSI Darmstadt do badań nad transaktynowcami DOI:10.15199/13.2016.8.4


  Omówiono konstrukcję, technologię i parametry dwóch nowych typów detektorów do systemu detekcyjnego ALBEGA (ALfa - BEta - GAmma) budowanego w GSI Helmholtzzentrum für Schwerionenforschung GmbH, Darmstadt (GSI), przeznaczonego do badań nad transaktynowcami. Detektor alfa stanowi 64-elementowa przepływowa matryca monolityczna zbudowana z dwóch płytek krzemowych o typie przewodnictwa ν, w których wytrawiony jest kanał, przez który przepływają (w gazie nośnym) badane substancje. Od strony kanału na całej powierzchni płytek wytworzony jest techniką dyfuzji fosforu obszar n+ (wspólna katoda). Na stronie przeciwległej do kanału wytworzone są techniką selektywnej dyfuzji boru 32 złącza p+-ν. Po połączeniu płytek powstaje szczelny kanał (przewód gazowy). Do jednego z końców tego przewodu doprowadzany jest gaz nośny (hel) zawierający atomy badanych pierwiastków promieniotwórczych. Gaz ten przepływa przez kanał. Promieniowanie jonizujące, emitowane przez atomy transportowane w gazie nośnym wnika do krzemu. Nośniki ładunku generowane w krzemie przez absorbowane promieniowanie (głównie cząstki alfa) są rozdzielane przez najbliższe złącze p+-ν, powodując powstanie sygnału elektrycznego. Promieniowanie beta i gamma przechodzi przez krzem i może być detekowane przez detektory odpowiednio umieszczone na zewnątrz przepływowego detektora cząstek alfa. Detektor beta stanowi monolityczna, 32-elementowa matryca o średnicy obszaru czynnego 90 mm, o grubości 0,9 mm. Materiałem wyjściowym jest wysokorezystywna płytka krzemowa typu ν. Na górnej stronie tej płytki wykonane są poprzez dyfuzję boru 32 planarne złącza p+-ν. Na dolnej stronie wykonany jest na całej powierzchni, poprzez dyfuzje fosforu, obszar n+, stanowiący wspólną katodę. Słowa kluczowe: detektor cząstek, matryca detektorowa, transaktynowce.Prace nad krzemowymi detektorami promieniowania jonizującego podjęto w ITE (w Zakładzie Fotodetektorów i Zakładzie Technologii [...]

 Strona 1