Wyniki 1-10 spośród 17 dla zapytania: authorDesc:"HELENA TETERYCZ"

Budowa cząsteczki gazu a parametry rezystancyjnych czujników gazu

Czytaj za darmo! »

Powszechnie wiadomo, że czujniki chemiczne to proste rezystory ceramiczne służące do przekształcenia sygnałów chemicznych na sygnał analityczny nadający się do odczytu. Składają się one z części receptorowej oraz przetwornikowej. Część receptorowa, najistotniejsza część sensora, odpowiedzialna jest za odbieranie i przekształcenie informacji chemicznej na zmiany parametrów czujnika. To odbier[...]

Mikrostruktura i parametry warstw gazoczułych na bazie SnO2 otrzymanych metodą zol-żel

Czytaj za darmo! »

W ostatnich kilkudziesięciu latach obserwuje się dynamiczny rozwój wszelkiego rodzaju sensorów. W szczególności intensywne badania prowadzone są nad czujnikami chemicznymi, gdyż bardzo często od ich jakości zależy nie tylko zdrowie ale i życie ludzi. Obecnie badania prowadzone w tym zakresie, koncentrują się na poszukiwaniu nowych materiałów sensorowych oraz na optymalizacji procesu technolo[...]

Zinc Oxide thin layer deposition using chemical bath deposition (CBD)


  The future of modern gas sensors are nanomaterials. The new materials with large active surfaces and special physical and chemical properties can significantly improve the sensor’s parameters. Nanomaterials allow for faster gas detection and decrease the low level detection. In modern gas sensors, because of the bigger active surface gas is detected faster. Only very few particles are needed to detect gas. The information of the detected gas is faster processed and we receive the response earlier. In mass production price is of crucial importance. Because of this, we aim to develop a cheap method of ZnO structure deposition, which will make low cost mass production possible. The described CBD method is a chemical method of zinc oxide deposition from liquid solution. Because of the water solution, the deposition can be carried out at a low temperature (under 100°C). This brings large benefits, the low temperature will not harm the other components of the gas sensor and CBD can be used like the last technological step. Experimental part The main goals of the experiments were to check the influence of the electrical field on the process of zinc oxide deposition in CBD, and to create the ZnO rods with changing [...]

Wpływ warstwy przyelektrodowej na parametry czujnika rezystancyjnego


  Rezystancyjne czujniki gazu to konstrukcyjnie, mało skomplikowane układy elektroniczne zawierające dwie elektrody oraz warstwę gazoczułą. W zależności od konstrukcji elektrody są przykryte warstwą gazoczułego materiału tlenkowego lub położone są na nim [1]. Jednak analiza struktury czujnika, mikrostruktury materiałów tworzących czujnik oraz zjawisk fizykochemicznych zachodzących w tego rodzaju czujnikach pokazuje jakie czynniki wpływają na ich parametry. W wielu pracach opisywany jest wpływ: - rodzaju materiału gazoczułego [2], - preparatyki materiału gazoczułego [3], - rodzaju domieszek modyfikujących [4], - metod domieszkowania gazoczułych materiałów tlenkowych [5], na parametry użyteczne czujnika. Ponieważ zmiana rezystancji półprzewodnikowego materiału gazoczułego stanowi źródło sygnału wyjściowego tego rodzaju czujnikach, to do pomiaru tych zmian konieczne są elektrody. Biorąc pod uwagę, że kontakt elektroda-materiał gazoczuły to kontakt metal-półprzewodnik, należy się spodziewać, że w obszarze tym zachodzą różne zjawiska fizyczne typowe dla tego rodzaju kontaktów, jak również zjawiska fizykochemiczne charakterystyczne dla katalizy heterogenicznej. Zatem należy się spodziewać, że obszar przyelektrodowy ma duży wypływ na wartość sygnału wyjściowego rezystancyjnych czujników gazów. Dlatego materiał elektrody powinien: - być stabilny fizykochemicznie, - zapewniać kontakt omowy z warstwą czynną, - nie wchodzić w reakcje chemiczne z warstwą czynną, - nie modyfikować właściwości katalitycznych warstwy gazoczułej. Rezystancyjne czujniki gazów najczęściej zawierają elektrody złote, które charakteryzują się mniejszą rezystancją, w porównaniu z elektrodami platynowymi [6]. Podobnie jak platyna są stabilne chemicznie w szerokim przedziale zmian temperatury. Ponadto, materiał elektrod powinien zapewniać odpowiedni kontakt elektryczny (najlepiej omowy) z materiałem gazoczułym i nie powinien z nim oddziaływać chemicznie. Uważa si[...]

Emisja polowa z warstw nanostruktur ZnO wytworzonych elektrochemicznie i bezprądowo w kąpieli chemicznej


  Nanostruktury są szczególnie predysponowane do zastosowania ich w charakterze polowych emiterów elektronów. Ich duże proporcje wymiarów promieni zakończeń do wysokości są wprost skorelowane z dużymi wartościami współczynnika wzmocnienia pola elektrycznego β, który jest ważnym parametrem charakteryzującym emiter polowy. W powszechnie obecnie stosowanych emiterach z nanorurkami węglowymi, współczynniki β osiągają wartości rzędu tysiąca [1]. Oznacza to tysiąckrotne lokalne wzmocnienie pola elektrycznego i w konsekwencji emisję elektronową przy niskich napięciach polaryzacji struktur emiterowych. Obok nanorurek węglowych, w charakterze emiterów polowych, badane są intensywnie inne formy nanostruktur węglowych i nanostruktury z innych materiałów. Jednymi z ciekawszych są nanostruktury z tlenku cynku ZnO. W mikroelektronice, warstwy ZnO wykorzystywane są do wytwarzania diod UV i tranzystorów cienkowarstwowych [2, 3] diod organicznych OLED [4], detektorów promieniowania UV [5]. Optyczne właściwości nanostruktur ZnO predysponują je do zastosowań w fotowoltaice i transparentnej elektronice [6,7]. W mikroelektronice próżniowej nanostruktury ZnO wykorzystuje się jako emitery polowe o dobrych właściwościach emisyjnych [8, 9]. Nanoproszki ZnO mogą być zastosowane jako materiały dla luminoforów niskonapięciowych [10]. Do wytwarzania nanostruktur 1D ZnO wykorzystuje się metody fizyczno-chemiczne: CVD, ablację laserową, rozpylanie jonowe itp., które dają dobre rezultaty, ale są skomplikowane i drogie [11 - 13]. W niniejszych badaniach, do wytworzenia nanostruktur ZnO zastosowano metody ich osadzania w procesie elektrolizy i bezprądowo w kąpieli chemicznej [14]. Metody te są proste, ale" szybkie" uzyskanie nanostruktur 1D ZnO o pożądanych parametrach dla emiterów polowych okazuję się być niełatwe. Wytworzenie emiterów polowych 1D ZnO Emitery polowe ze strukturami 1D ZnO wykonane zostały metodą k[...]

Aldehyd izomasłowy potencjalnym surowcem do ketonizacji

Czytaj za darmo! »

Aldehydy prostołańcuchowe konwertują do ketonów wobec Zr-Mg-Y-O. Potencjalnym surowcem takiej konwersji może być aldehyd izomasłowy, będący produktem nadmiarowym w syntezie OXO. Aldehyd izomasłowy ulega ketonizacji w dużo mniejszym stopniu niż aldehydy prostołańcuchowe. Wytłumaczeniem tego utrudnienia jest mechanizm transformacji. Ketonizacja aldehydu izomasłowego, gdy surowcem jest miesza[...]

Mikroprocesorowy miernik rozkładu temperatury w profilu gleby

Czytaj za darmo! »

Jednym z istotnych czynników środowiska jest temperatura gleby. Parametr ten, ze względu na swoją ważność znajduje się na liście elementów agrometeorologicznych, które podlegają systematycznym pomiarom [8]. Zmienność temperatury w profilu gleby w istotny sposób wpływa na przebieg wegetacji roślin oraz na kształtowanie się zasobów wodnych gleby [1-3]. Znajomość rozkładu temperatury w profilu[...]

Charakteryzacja nanostruktur tlenku cynku za pomocą Sondy Kelvina


  Półprzewodnikowe tlenki metali są obecnie głównym przedmiotem badań wielu zespołów naukowych na całym świecie i stanowią jedną z najważniejszych grup materiałów. Znajdują one ciągle nowe zastosowania w zaawansowanych technologiach, takich jak transparentna elektronika, mikrosystemy, technika sensorowa czy optoelektronika. W ostatnich latach, jednym z bardzo intensywnie badanych półprzewodników jest tlenek cynku. Związane jest to z jego unikalnymi właściwościami. Jedną z zalet ZnO, która wzbudziła zainteresowanie naukowców oraz przyczyniła się do szerokiego zastosowania tego tlenku metalu w urządzeniach elektronicznych i optoelektronicznych jest jego różnorodność form w jakich może krystalizować. W zależności od techniki osadzania i parametrów podczas wzrostu kryształów, tworzy on nanostruktury, takie jak: nanopręty, nanodruty, nanopasy, nanorurki, nanokwiaty. W literaturze szeroko opisane są metody otrzymywania tego typu struktur i ich zastosowanie [1]. Tlenek cynku posiada prostą przerwę energetyczną o wartości około 3,4 eV [2], która porównywalna jest z przerwą energetyczną azotku galu (3,36 eV) [3]. Z tego względu jest on bardzo często stosowany w opto- i mikroelektronice do budowy fotodetektorów oraz diod emitujących światło w zakresie ultrafioletowym [4]. ZnO wykorzystano również w transparentnej elektronice do budowy matryc TFT. Jednak zastosowanie tlenku cynku nie ogranicza się jedynie do optoelektroniki. Materiał ten należy do grupy półprzewodników, których komórki elementarne nie posiadają środka symetrii, przez co wykazuje on właściwości piezoelektryczne. Pozwala to na zastosowanie tego materiału w systemach mikromechanicznych [5]. Ponadto półprzewodnik ten, jako materiał biokompatybilny znalazł zastosowanie w medycynie [6]. Ze względu na swoje właściwości katalityczne tlenek cynku, jak również inne półprzewodnikowe tlenki metali (TiO2, SnO2, MnO, In2O3) wykorzystywane są jako materiały fotokatalityczne lub warstw[...]

Characterisation of a heterojunction structure based on Au doped WO3 and SnO2


  Gas and humidity sensors based on semiconductor metal oxides and solid electrolytes have been studied extensively during the last few decades. The main work in this area is aimed at improving the basic parameters of these sensors to achieve better sensing performance. Nowadays there are a variety of commercial available sensors. Nonetheless it has not been possible to make a highly selective and sensitive sensor with fast response time. The presence of various gases or water vapour in the atmosphere affects the sensor performance and influence the output signal. Semiconductor gas sensors show poor selectivity, which makes them insensitive to low gas concentrations. Several methods have been found to overcome this problem. The most frequently used methods are the modulation of the working temperature of the sensing structures and the application of new materials with improved catalytic properties [1, 2]. Another option is the construction of semiconductor gas sensors based on a heterojunction formed between different metal oxides. The analysis of reactions occurring in the single phase materials and at the junction can improve the selectivity and sensitivity of such structures. For the first time this class of devices was used as humidity sensors. For the application in measurement systems, both p-n and n-n junctions were propsed by authors [3-5]. In this paper we study[...]

Analiza zjawisk w czujnikach o mieszanym potencjale


  Rozwój cywilizacyjny w dziedzinie medycyny, ochrony środowiska i szeroko pojętym przemyśle, spowodował zapotrzebowanie na systemy pomiarowe pozwalające dokładnie określić skład różnych atmosfer gazowych. Podstawą takich układów pomiarowych są detektory i czujniki zdolne przetworzyć informację o wielkości nieelektrycznej na sygnał użyteczny analitycznie. Jedną z grup sensorów gazów, która znalazła szerokie zastosowanie, są czujniki potencjometryczne. Najpopularniejszym przykładem tego typu przyrządów jest sonda lambda stosowana w układach kontroli procesów spalania w silnikach samochodowych czy elektrociepłowniach. Jednak problemy związane z zasadą działania tego typu czujników i doborem odpowiednich materiałów do ich konstrukcji spowodowały, że obecnie pracuje się nad nowym typem potencjometrycznego czujnika gazu, zwanego czujnikiem o mieszanym potencjale. W niniejszej pracy przedstawiono wstępne wyniki badań grubowarstwowego czujnika o mieszanym potencjale do oznaczania siarkowodoru. W doniesieniach literaturowych elektrody wskaźnikowe nie mają ze sobą bezpośredniego kontaktu. Natomiast w badanym czujniku elektrody wskaźnikowe na bazie SnO2 i [...]

 Strona 1  Następna strona »