Wyniki 1-1 spośród 1 dla zapytania: authorDesc:"ANNA ROJEK"

Tranzystory TFT z amorficznego GaN otrzymane na powierzchni krzemowej lub kwarcowej z metalizowanym wzorem

Czytaj za darmo! »

W latach 1997-1998 S.Kobayashi i inni [1-3] zaproponowali wykonanie tranzystorów TFT z cienkich warstw amorficznych i polikrystalicznych GaN. Zaletą GaN jest duża przerwa zabroniona 3,39 eV, co czyni ten materiał przezroczystym (nieabsorbującym) dla promieniowania widzialnego i powoduje niewrażliwość tranzystora TFT na zmianę oświetlenia. Do chwili obecnej brak nowych doniesień na temat dals[...]

 Strona 1