Wyniki 1-10 spośród 12 dla zapytania: authorDesc:"ZBIGNIEW PRUSZOWSKI"

Thermoelectric force in Ni-P resistive layers

Czytaj za darmo! »

Thermo-electric force is a phenomenon known for a long time. The first attempt of industrial use of the thermo-electric effect took place in the 60’ s of the previous century. The main application of thermoelectric effect are: ● thermoelectric generators, ● thermoelectric cooling modules. Apart from using the thermoelectric force in the mentioned devices, it can be also th[...]

Impulsowa stabilizacja warstw rezystywnych Ni-P

Czytaj za darmo! »

Technologia bezprądowej metalizacji jest aktualnie stosowana do wytwarzania warstw rezystywnych [1] przy czym w ostatnich latach opracowano technologię pozwalająca na otrzymanie rezystorów warstwowych precyzyjnych [2] charakteryzujących się temperaturowym współczynnikiem rezystancji poniżej 25 ppm/K. Istotą opracowanej technologii jest minimalizacja tempa procesu chemicznej metalizacji, co [...]

Model matematyczny wiążący parametry elektrofizyczne warstw rezystywnych Ni-P z parametrami procesu bezprądowej metalizacji

Czytaj za darmo! »

Proces chemicznej redukcji prowadzący do wytwarzania wysokojakościowych warstw rezystywnych Ni-P prowadzony jest w silnie kwaśnej kąpieli technologicznej (pH = 1,5…2,0) na uczulonej i aktywowanej powierzchni ceramicznej, przy czym podstawowymi substratami kąpieli technologicznej są chlorek niklawy oraz podfosforyn sodowy, będący reduktorem w tym procesie [1]. Proces ten prowadzi się zw[...]

Wytwarzanie warstw rezystywnych typu Ni-Cu-P

Czytaj za darmo! »

Technologia wytwarzania warstw amorficznych typu metaliczne szkło metodą chemicznej redukcji jest znana od lat czterdziestych ubiegłego stulecia [1], przy czym warstwy te osadzane są na poddanym procesom uczulania i aktywacji, podłożach niemetalicznych w szczególności na ceramice glinokrzemianowej. W latach 1960-1970 procers ten znalazł zastosowanie w firmie Welvyn do wytwarzania rezystorów warstwowych stałych na podstawie patentu Edge’a [2], w procesie tym wykorzystywano początkowo stopy Ni-P zaś w latach osiemdziesiątych i dziewięćdziesiątych ubiegłego stulecia także stopy Ni-Co-P[3] oraz Ni-W-P[4]. Dodatek miedzi do stopu niklowo-fosforowego jest znany [5], lecz technologia wytwarzania stopu Ni-Cu-P mogącego znaleźć zastosowanie w elektronice jest obwarowana licznymi [...]

Wytwarzanie stabilnych warstw rezystywnych metodą bezprądowej metalizacji

Czytaj za darmo! »

W niniejszym artykule opisano zmodyfikowany sposób wytwarzania warstw rezystywnych Ni-P metodą chemicznej redukcji zachodzący w kąpieli wodnej prowadzący do otrzymania warstw rezystywnych o rezystancji powierzchniowej 0,510,0 charakteryzujących się minimalnym temperaturowym współczynnikiem rezystancji oraz minimalnymi zmianami rezystancji w próbie na stabilność. W artykule opisano szczegółowo zmiany rezystancji w funkcji temperatury oraz zmiany rezystancji w funkcji czasu dla prób określających stabilność długoczasową warstw rezystywnych. Abstract. In this paper is presented modified technology of preparation of Ni-P resistive layers. These layers are characterised by square resistance 0,5 - 10, minimised TCR and best stability. In this paper are described change of resistance with changes of temperature. (Technology of preparation of Ni-P resistive layers) Słowa kluczowe: TWR, metalizacja chemiczna, warstwy rezystywne, trwałość elektryczna Keywords: TCR, chemical metallisation, resistive layers, electrical durability Wprowadzenie i cel pracy Stopy amorficzne zawierające jako metal nikiel kobalt miedź lub metale przejściowe takie jak wolfram czy molibden oraz dodatki półprzewodnikowe takie jak fosfor czy bor są tworzywami szeroko stosowanymi w elektronice[1,2] do wytwarzania rezystorów warstwowych stałych[3] warstw magnetycznych[4] a także jako kompozyty stosowane w przemyśle maszynowym w lotnictwie czy nawet astronautyce[5]. Najszersze zastosowanie tych warstw sprowadza się do wytwarzania wysokojakościowych warstw rezystywnych służących jak półprodukt do wytwarzania rezystorów warstwowych precyzyjnych[6,7]. Wytworzone na tej drodze rezystory charakteryzują się:  temperaturowym współczynnikiem rezystancji (mierzonym zarówno w przedziale 218÷293K jak i przedziale 293÷398K) niskim TWR nie przekraczającym 25ppm/K  stabilnością długoczasową (mierzoną po 1000 godzinach przebywania w temperatur[...]

Wpływ intensyfikacji procesu metalizacji bezprądowej na podstawowe parametry elektryczne rezystywnego stopu Ni-P


  Wytwarzanie rezystorów warstwowych stałych w procesie bezprądowej metalizacji prowadzonej na uczulonym i aktywowanym podłożu niemetalicznym jest znane od lat siedemdziesiątych ubiegłego stulecia [1]. W pierwszym patencie opisującym ten proces [1] omówiono sposób wytwarzania dwuskładnikowych warstw rezystywnych typu Ni-P charakteryzujących się rezystancją rzędu 1…1000 Ω przy temperaturowym współczynniku rezystancji mieszczącym się w granicach 50…150 ppm/K. W szeregu opisanych dalszych rozwiązań patentowych [2-5] opisano technologie pozwalające na zmniejszenie TWR stopu rezystywnego Ni-P do poziomu 25…50 ppm/K co było istotną poprawą parametrów produktu finalnego. Obniżenie TWR stopu jest możliwe w wyniku zwiększenia amorfizacji stopu rezystywnego co jest bezpośrednio związane z koncentracją fosforu w stopie [6]. Wzrost koncentracji fosforu z poziomu 7% wagowych do 12% powoduje zmianę struktury z "nanokrystaliczej" na amorficzną co daje możliwość obniżenia temperaturowego współczynnika rezystancji do wartości rzędu 5 ppm/K. Istotnym i nie do końca rozwiązanym problemem jest wytwarzania warstw rezystywnych o rezystancji poniżej 0,5 Ω charakteryzujących się minimalnym TWR mierzonym w zakresie temperatur 293…398K. Obniżenie wartości rezystancji końcowej jest związane ze stałym wzrostem TWR stopu rezystywnego. Wzrost TWR jest spowodowany kilkoma czynnikami wśród których niebagatelną rolę odgrywają rozpraszania na krawędziach warstwy rezystywnej minimalizowane w miarę obniżenia rezystancji czyli wzrostu grubości warstwy[...]

Influence of kinetics parameter of electroless nickel plating in order to optimalisation electrical parameters of Ni-P resistive layers


  In the last several years the Ni-P resistive layers are one of the most popular layers in technology of high precision resistors [1]. In the preparation the Ni-P resistive films are produced by a chemical reaction involving nickel salts are reducing agent e.g. hypophosphite salts. The reactions taking place during the electroless nickel plating have been investigated for example by Brenner [2] Serota [3] and Pearlstein [4]. Electroless nickel plating is heterogeneous reaction in a solidsolid system and the plated metallic surface is a catalyst [5]. It is generally know, that the electrical parameters like resistance and TCR of the resistive layers depend on the technological paramethers such an acidity of technological solution, temperature and concentration of substrates [3]. This problem has a great significance for production of precision film fixed resistors by the chemical deposition method [6-8]. Currently using this method allows to produce Ni-P resistive layers having sheet resistance range of 0.5…100 Ω/□ together with TCR values in the range ±25 ppm/K [9]. In the recent years the studies are mainly focuse on kinetics of the phase trancition: amorphous-cristalline [10]. The low-P (about 6% weight) Ni-P resistive layer transform in the process of thermal stabilization to stable phase Ni3P, but the rich-P (about 10% weight) Ni-P transform to metastable phase Ni5P2 first, and than to the stable Ni3P [11]. The rich P Ni-P layer are characterised by the higher crystallization temperature because Ni3P crystals are forming at two stages [11]. The changes amorphous phase to crystalline started at the temperature range from 673K (6% P weight) to 723K (10% P weight). There is no any correlation between the chemical concentration of Ni-P alloy and basic technological param[...]

Resistive Ni-W-P layers obtained by chemical metallization method DOI:10.15199/48.2015.09.27

Czytaj za darmo! »

The paper describes a new method of obtaining of Ni-W-P resistor layers, featuring elevated electrical stability. Such layers may be introduced into the manufacturing process of precise metal film resistor. Streszczenie. Artykuł opisuje nową metodę uzyskiwania warstw rezystywnych Ni-W-P, charakteryzujących się podwyższoną stabilnością elektryczną. Warstwy te mogą być wykorzystane do procesu wytwarzania precyzyjnych rezystorów warstwowych. (Rezystywne warstwy Ni-W-P wytwarzane metodą chemicznej metalizacji). Keywords: resistive layers, Ni-P, Ni-W-P, precision resistors, chemical metallization. Słowa kluczowe: warstwy rezystywne, Ni-P, Ni-W-P, rezystory precyzyjne, chemiczna metalizacja. Introduction The fixed metal resistors with the temperature coefficient of resistance (TCR) lower than 50 ppm/K are actually manufactured in two competitive ways i.e. vacuum magnetron sputtering and chemical metallization. Both method have their specific features. The advantages of the chemical method are low production cost and inexpensive equipment, but the metal film quality is not constant within the whole manufactured resistance range.[1-3[...]

One-stage substrate activation using in resistive layer formation


  The process of chemical metal plating aimed at forming Ni- P-type layers on a non-metallic surface was first described by Brenner (1) and further developed in a series of papers by Saubestre (2, 3, 4, 5). The process involves sensitization and activation of a degreased and etched ceramic substrate, the two operations usually not being performed jointly but rather in sequence additionally separated by an intermediate washing (2). The process of sensitization of an evolved (as an outcome of etching) ceramic surface causes stannous ions to be absorbed, which in turn, in another process called activation, are exchanged with ions of precious metals (palladium, gold or platinum(3)). During the ion exchange, stannous ions undergo oxidation, whereas ions of precious metals are reduced to a metallic form creating a catalytic layer of a ‘patch-like’ structure on a surface. This layer initiates the process of nickelous ions reduction. Whereas the important element of the initiated reaction is the simultaneous release of hydrogen, in particular on atoms of the activator (6). This technology was first used in the production of fixed film resistors by an engineer of the Welvyn Edge company (7) to be then developed in 1980 s into the chemical metal plating process, as described by Swierczek (8), and used in production by Krakowskie Zakłady Elektroniczne Unitra-Telpod (Unitra-Telpod Electronic Plant in Kraków). In order to decrease the level of resistance dispersion of the end product of the latter method, a complex process of threestage activation was applied by separating the stages of sensitization and activation by means of an additiona[...]

Wpływ podstawowych parametrów procesu technologicznego wytwarzania stopu rezystywnego Ni-P na rezystancję i TWR warstwy rezystywnej osadzonej na podłożu glinokrzemianowym

Czytaj za darmo! »

W niniejszej pracy powiązano wpływ podstawowych parametrów bezprądowej metalizacji takich jak odczyn kąpieli, czas trwania procesu oraz stężenie podstawowych reagentów z rezystancją i temperaturowym współczynnikiem rezystancji stopu Ni-P osadzonego na korpusie ceramicznym będącym podłożem na którym wytwarza się rezystory warstwowe precyzyjne. Abstract. In this paper the parameters of technological process of manufacture the Ni-P resistive layers and based electrical parameters such resistance and TCR are correlated. The resistive layers based on Ni-P films are used to produce precise resistors. (Effect of basic parameters of the alloying process of formation Ni-P resistive layer on the resistance and TCR deposited on the substrate aluminosilicate) Słowa kluczowe: warstwa rezystywna Ni-P, TWR, model matematyczny Keywords: Ni-P resistive layer, TCR, mathematical model 1. Wprowadzenie i cel pracy Technologia bezprądowej metalizacji została wykorzystana w elektronice po raz pierwszy przez konstruktora firmy Welvyn J. Edge’a do wytwarzania rezystorów warstwowych stałych w 1971 roku [1]. Proces technologiczny oparty o koncepcję Brennera [2] polegał na wytwarzaniu warstwy rezystywnej niklowo-fosforowej na aktywowanym solami palladu podłożu ceramicznym, stabilizacji termicznej tak wytworzonej warstwy rezystywnej w zakresie temperatur 453÷513K, końcówkowaniu wałka z naniesioną warstwą rezystywną oraz hermetyzacji tak wytworzonego rezystora. Pierwsze wykonane tą technologią rezystory charakteryzowały się temperaturowym współczynnikiem rezystancji rzędu 50÷150ppm/K. W latach osiemdziesiątych oraz dziewięćdziesiątych ubiegłego stulecia technologia ta była stale udoskonalana a w wyniku modyfikacji parametrów technologicznych procesu [3], takich jak temperatura prowadzenia procesu, odczyn kąpieli technologicznej czy stężenia podstawowych substratów TWR stopu, zminimalizowano do wartości rzędu 25ppm/K [4]. Istotnym zagadnieniem które wym[...]

 Strona 1  Następna strona »