Wyniki 1-10 spośród 41 dla zapytania: authorDesc:"ROMAN BARLIK"

Nowe książki: Stanisław Rosłoniec - Fundamental Numerical Methods for Electrical Engineering

Czytaj za darmo! »

Pierwowzorem prezentowanej książki jest drugie wydanie podręcznika " Wybrane metody numeryczne z przykładami zastosowań w zadaniach inżynierskich " opublikowanego w kwietniu bieżącego roku przez Oficynę Wydawniczą Politechniki Warszawskiej. W nowej wersji, anglojęzycznej, omówiono podstawowe metody numeryczne wykorzystywane w pracach naukowych i w praktyce inżynierskiej. W ośmiu, spójnych tematycznie rozdziałach przedstawiono metody rozwiązywania układów równań zarówno liniowych jak i nieliniowych, interpolowania i aproksymowania funkcji jednej zmiennej, różniczkowania i całkowania funkcji jednej i dwóch zmiennych, całkowania układów równań różniczkowych zwyczajnych i całkowania równań różniczkowych cząstkowych drugiego rzędu określonych dla funkcji dwóch zmiennych. N[...]

Nowe książki

Czytaj za darmo! »

Roman Z. Morawski Etyczne aspekty działalności badawczej w naukach empirycznych Wydawnictwa Uniwersytetu Warszawskiego, Warszawa 2011 Książka zawiera niezwykle interesujący materiał obejmujący przemyślenia Autora na temat etycznych i moralnych aspektów pracy naukowej. Autor, jako wybitny specjalista z zakresu metrologii i jej zastosowań w elektronice i telekomunikacji, podjął się dzieła, zdającego się być tematycznie odległym od zainteresowań ściśle zawodowych. Nie mając formalnych kwalifikacji w zakresie etyki, ani też innej dyscypliny filozoficznej Autor, chyba właśnie dzięki temu, formułuje swoje myśli w sposób zrozumiały dla czytelnika. Czyni to odwołując się do cytatów z literatury "głęboko" filozoficznej. Humanistyczne zai[...]

Three-phase inverter with SiC JFETs and Schottky diodes

Czytaj za darmo! »

This paper describes the design, construction and tests of 2kVA three-phase Current Source Inverter with Silicon Carbide (SiC) JFETs and Schottky diodes. Low forward voltage drops and switching energies of SiC elements result in the switching frequency increase to 100kHz and passive elements, especially inductors, are significantly reduced. Operation of the 2kVA/400VDC/3x400VAC model is illustrated by laboratory test results - measured efficiency at nominal power was 96,55% Streszczenie. Artykuł przedstawia projektowanie, konstrukcję i badania trójfazowego falownika prądu o mocy 2kVA zbudowanego z użyciem elementów z węglika krzemu: diod Schottky’ego i tranzystorów JFET. Małe spadki napięcia i energie przełączeń tych elementów pozwalają zwiększyć częstotliwość pracy układu do 100kHz. W efekcie elementy bierne obwodu, ze szczególnym uwzględnieniem dławików zostały znacząco zmniejszone. Działanie modelu 2kVA/400VDC/3x400VAC jest zilustrowane wynikami badań laboratoryjnych, sprawność układu przy mocy nominalnej wynosi 96,55%. (Falownik trójfazowy z tranzystorami JFET i diodami Schottky’ego z węglika krzemu). Keywords: silicon carbide, JFET, Schottky diode, current source inverter. Słowa kluczowe: węglik krzemu, tranzystor JFET, dioda Schottky’ego, falownik prądu. Introduction The Silicon Carbide (SiC) technology brings new semiconductor devices with improved properties in reference to Silicon (Si) [1]-[3]. Most popular SiC device is now Schottky diode offered on the market as discrete parts (up to 1,2kV/20A [4]) or in module with Si IGBT (1,2kV/360A [5]). Significant reduction of switching losses due to lack of reverse recovery make it attractive in various applications of power electronics as PFC, drives or DC/DC converters. Another device made from Silicon Carbide, Junction Field Effect Transistor (JFET), also shows excellent properties from the power electronics point of view [6]-[10]. Due to thin drift zone the on-[...]

Topologie dławików wejściowych wielogałęziowego przekształtnika DC/DC DOI:10.15199/ELE-2014-148


  Nieodzownym podzespołem w procesie pozyskiwania energii elektrycznej ze źródeł odnawialnych lub magazynów energii są przekształtniki energoelektroniczne. Zwykle w skład ich topologii wchodzi przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie, połączony kaskadowo z jedno- lub trójfazowym falownikiem napięcia, połączonym poprzez dławiki z siecią elektroenergetyczną (lub odbiornikami) o napięciu 230 V/50 Hz lub 3x400 V/50 Hz. W celu uzyskania napięć przemiennych o takich wartościach, napięcie na zaciskach prądu stałego falownika powinno być stabilizowane na poziomie około 400V dla falownika jednofazowego lub około 650V dla falownika trójfazowego. W przypadku coraz popularniejszych instalacji z ogniwami fotowoltaicznymi przekształtnik DC/ DC powinien podwyższać napięcie na jednym z wymienionych poziomów, zapewniając jednocześnie maksymalne wykorzystanie aktualnej wydajności energetycznej fotoogniw poprzez śledzenie punktu maksymalnej mocy (ang. Maximum Power Point Tracking, MPPT), wynikającego z ich charakterystyk prądowo - napięciowych. Skuteczność wykorzystania wydajności energetycznej ogniw zależy nie tylko od zastosowanego (jednego z wielu) algorytmów śledzenia MPPT, ale także od przebiegów wartości chwilowych napięcia i prądu baterii fotowoltaicznej. Szczególnie niekorzystne pod tym względem są tętnienia prądu, które mogą być ograniczone dzięki zastosowaniu przekształtników DC/DC o topologiach wielogałęziowych, zwanych także wielofazowymi [1] - [3]. Częstotliwość prądu wejściowego takich przekształtników i jednocześnie prądu pobieranego z ogniw fotowoltaicznych jest iloczynem częstotliwości przełączeń tranzystorów i liczby gałęzi występujących w przekształtniku DC/DC. W celu redukcji gabarytów i masy przekształtników, zaleca się stosowanie parzystej liczby gałęzi, przy czym w poszczególnych parach gałęzi włączane są dławiki sprzężone magnetycznie [4-7]. W niniejszej pracy przedstawiono analizę możliwości ograniczenia wartości międ[...]

Experimental evaluation of GaN Gate Injection Transistors DOI:10.15199/48.2015.03.03

Czytaj za darmo! »

The paper presents experimental evaluation of Gate Injection Transistors produced on the base of Gallium Nitride (GaN). Authors show double-pulse test results and measurements of the half-bridge converter with inductive load. Obtained results indicate very good performance of new devices which are able to operate at high switching frequency and low power losses (0.6% losses of converter power at 150 kHz was achieved). Streszczenie. Artykuł przedstawia ocenę w trybie eksperymentu tranzystorów typu Gate Injection Transistor zbudowanych na bazie azotku galu (GaN). Autorzy prezentują wyniki testów dwupulsowych a także wyniki pomiarów układu półmostka obciążonego dławikiem. Wyniki wskazują na bardzo dobre parametry nowych przyrządów, charakteryzujących się niskimi stratami mocy nawet przy dużych częstotliwościach przełączeń (uzyskano 0.6% strat mocy przekształcanej przy 150kHz) (Ocena w trybie eksperymentu azotkowo-galowych tranzystorów typu GIT). Keywords: Gallium Nitride (GaN), Gate Injection Transistor (GIT), power losses, double-pulse test. Słowa kluczowe: Azotek galu, tranzystor GIT, straty mocy, test dwupulsowy. Introduction Last year's field of power devices is revolutionized by truly exciting new technologies. Besides continuous improvement in Silicon-based devices, to mention only latest IGBTs with seriously increased switching performance [1] or low power MOSFETs with on-state resistances of single m[...]

Analityczny opis łączeniowych strat energii w wysokonapięciowych tranzystorach MOSFET pracujących w mostku DOI:10.15199/48.2015.09.12

Czytaj za darmo! »

W pracy przedstawiono analityczny opis łączeniowych strat energii w łącznikach z wysokonapięciowymi tranzystorami MOSFET, pracującymi w topologii mostkowej. Analizie poddano straty energii przy załączaniu twardym i miękkim, a także przy załączaniu małego prądu obciążenia i przy pracy bez obciążenia. W opisie uwzględniono wpływ pasożytniczych pojemności złączowych i zewnętrznych pojemności elementów półprzewodnikowych a także pasożytniczą pojemność odbiornika. Do wyprowadzenia zależności określających straty energii w łącznikach z tranzystorami MOSFET, wykorzystano zasadę zachowania ładunku i energii. Otrzymane zależności matematyczne wykorzystują wielkości dostępne w katalogach lub do określenia których wystarczą proste testy eksperymentalne. Abstract. This paper presents an analytical description of the switching energy losses in high voltage MOSFETs used in the H-bridge converters. The energy losses in hard- and soft- switching and under both with light load and without load were analyzed. In the analytical model the parasitic junction capacitance, external capacitance of the semiconductors, and equivalent parasitic capacitance of the load were taken in the account. By obeying conservation of energy and conservation of electric charge laws during the analytical investigations the equations describing the energy losses are derived. The mathematical formulas that are provided by this research can be used for determining the switching losses generated in the semiconductor devices using parameters from manufacturers catalogues. (Analytical description of the switching losses in high voltage MOSFET H - bridge). Słowa kluczowe: MOSFET, straty energii, twarde załączanie, pojemności pasożytnicze. Keywords: high-voltage MOSFET, switching losses, hard-switching, parasitic capacitance. Wprowadzenie Spotykany w literaturze sposób opisu łączeniowych strat energii w tranzystorach mocy polega na analizie przebiegów wartości chwilowych napięcia i prądu[...]

Minimizing the switching energy losses in high-voltage MOFSET transistors operating in a hard-switching mode DOI:10.15199/13.2015.12.2


  The dynamic properties of structural diodes in high-voltage MOSFET silicon transistors have a decisive influence on the magnitude of energy losses in high-frequency hard-switching converters [1]. In this process (Fig. 1), the current iD2 associated with the reverse recovery charge Qrr of the diode D2 is added to the load current iL switched on by the transistor T1, causing a considerable increase in the switching energy Esw. Besides, the rapid decrease in the switch-on current iT1on at the end of the process (the ramp di/dt) causes overvoltages in the converter's parasitic inductances that are dangerous to the circuit, which might damage the transistors and are the source of strong electromagnetic disturbances. In addition, the high voltage ramp du/dt, accompanying the fast discharging of the connectors' capacities with a large current pulse is the cause of gate circuit disturbances that manifest themselves in repeated, uncontrolled switching on of the complementary connector, which adds up to the converter power losses. The literature proposes different methods of reducing the adverse influence of the parasitic properties of MOFSET body diodes. Most often, complex control algorithms are used, which allow the hard switching of transistors in the converter to be avoided [2]. Some constructional solutions are also found, which either restrict the participation of those diodes in the conduction of current [3] or totally eliminate their role in the operation of the circuit [4]. Each of these solutions causes a significant complication of the control system itself or the converter’s construction, which limits their application in practice. Examination of the dynamic properties of MOSFET body diodes In order to minimize the switching energy losses and effectively reduce the magnitude of power losses of the entire converter, the knowledge of the dynamic properties of the transistor body diodes will be required. Un[...]

Geometria uzwojeń i wyznaczanie parametrów pasożytniczych dławika o zredukowanej pojemności DOI:10.15199/48.2017.04.03

Czytaj za darmo! »

Artykuł przedstawia analityczny sposób wyznaczania pojemności pasożytniczej uzwojeń dławika wysokoczęstotliwościowego o nowej konstrukcji, umożliwiającej 10 - krotną redukcję tej pojemności w porównaniu z rozwiązaniami stosowanymi dotychczas. Dla zaproponowanej metody, w sposób szczegółowy zaprezentowano rozkład uzwojeń w oknie rdzenia i na podstawie uzyskanej geometrii przyjętego modelu elementu magnetycznego przedstawiono opis analityczny oraz wyznaczono pojemność uzwojenia. Dokonano porównania uzyskanych wyników obliczeń z wynikami pomiarów przeprowadzonych dla dławika o indukcyjności L = 1,2mH/8A, przewidzianego do pracy w przekształtniku DC/DC podwyższającym napięcie. Abstract. This paper presents an analytical method for determining parasitic capacitance of winding in high-frequency inductor, which allows 10 times reduction of this capacitance compared to traditional solutions. For the proposed method, winding distribution has been presented in detail and based on its geometry the analytical description has been presented and winding capacitance has been calculated. A comparison of the analytical results obtained from calculations with the results of measurements performed for the inductor with parameters L = 1,2mH / 8A dedicated for DC/DC boost converter has been done. (Winding geometry and determination of parasitic parameters for inductor with reduced capacitance). Słowa kluczowe: pojemność pasożytnicza uzwojeń, wysokoczęstotliwościowe elementy magnetyczne, geometria uzwojeń. Keywords: parasitic capacitance of windings, high frequency magnetic components, geometry of windings. Wstęp Wraz z coraz powszechniejszym stosowaniem w przekształtnikach energoelektronicznych elementów półprzewodnikowych mocy, wykonanych z materiałów takich jak węglik krzemu (SiC, ang. Silicon Carbide) czy azotek galu (GaN, ang. Gallium Nitride) warunki pracy elementów magnetycznych uległy znacznej zmianie. Z jednej strony, dzięki bardzo dobrym właściwoś[...]

 Strona 1  Następna strona »