Wyniki 1-10 spośród 13 dla zapytania: authorDesc:"JÓZEF GROMEK"

Diamentowy Jubileusz ITR DOI:

Czytaj za darmo! »

W tym roku przypada Jubileusz 60-lecia Instytutu Tele- i Radiotechnicznego. Jak każdy jubileusz, tak i ten pobudza do refleksji związanych z minionym okresem oraz stanowi okazję do spojrzenia w przyszłość. ITR wywodzi swój rodowód z Państwowego Instytutu Telekomunikacji, którego twórcą był najwybitniejszy polski radiotechnik Profesor Janusz Groszkowski. Ta tradycja stanowiła dla nas fun[...]

Wdrażanie technologii bezołowiowego lutowania rozpływowego - jakość połączeń lutowanych

Czytaj za darmo! »

Upowszechnienie montażu powierzchniowego spowodowało w ciągu ostatnich lat istotne zmiany w wyrobach, płytkach i urządzeniach związane z pojawieniem się na rynku nowych obudów o wielu wyprowadzeniach o bardzo małym rastrze, obudów z wyprowadzeniami sferycznymi umieszczonymi pod obudową oraz wprowadzaniem nowych wymagań dotyczących np. doskonałej płaskości pól lutowniczych, pojawieniem się n[...]

"Zielona elektronika" - zmiany w przepisach prawnych

Czytaj za darmo! »

Termin "zielona elektronika" stosowany jest do wyrobów elektronicznych nie zawierających substancji niebezpiecznych dla zdrowia ludzi i środowiska naturalnego. Producenci, wprowadzający na rynek wyroby wykonane w technologii przyjaznej środowisku, często oznaczają je symbolami w kolorze zielonym, np. zielonym listkiem. Synonimem "zielonej elektroniki" jest "elektronika przyjazna środowisku".[...]

Technologia wytwarzania organicznych drukowanych źródeł światła – perspektywy, badania


  Drukowana elektronika jest jedną z najszybciej rozwijających się na świecie platformą technologiczną, która poprzez połączenie nowych materiałów organicznych z niskokosztowymi metodami wytwarzania umożliwia tworzenie różnorodnych innowacji produktowych. Znaczny postęp, jaki dokonał się w ostatnich latach w tej dziedzinie, zaowocował wprowadzeniem na rynek pierwszych produktów elektronicznych zbudowanych z materiałów organicznych. Największe zainteresowanie budziły innowacje przeznaczone dla przemysłu oświetleniowego oraz segmentu rynku związanego z wyświetlaczami. Do innych wiodących aplikacji drukowanej elektroniki należy zaliczyć: ogniwa fotowoltaiczne, baterie, zintegrowane systemy funkcjonalne, identyfikatory RFID oraz inteligentne opakowania. Istotnym wsparciem dla twórców tych innowacji są środki budżetowe poszczególnych państw oraz środki Unii Europejskiej, przeznaczone na realizację projektów i programów badawczych w obszarze drukowanej elektroniki. W 7 Programie Ramowym UE zakłada się, że w ciągu dwóch ostatnich lat jego realizacji poziom finansowania badań z obszaru drukowanej elektroniki zbliży się do kwoty 300 mln euro. Pomimo tego, obecnie drukowana elektronika jest jeszcze ciągle w początkowym etapie rozwoju, w którym dominują prace związane z przejściem z fazy laboratoryjnej do fazy prototypowej. Celem tych prac jest dokonanie dalszego postępu w zakresie materiałów, procesów technologicznych, konstrukcji, produktów końcowych oraz urządzeń technologicznych. Powyższe uwarunkowania mogą stanowić punkt odniesienia dla określenia kierunków rozwoju drukowanej elektroniki w Polsce. Podejmując działania w tym zakresie należy przyjąć założenie, podobnie jak w krajach wysoko rozwiniętych, że działalność badawczo-rozwojowa w obszarze drukowanej elektroniki będzie miała istotne znaczenie dla wzrostu innowacyjności i konkurencyjności krajowej gospodarki. Dlatego też, jednym z działań, które z pewnością będzie korzystne dl[...]

Wpływ materiału elektrod na właściwości struktur OLED


  Odpowiednio dobrany materiał na elektrody diody OLED to jeden z kluczowych czynników mających wpływ na parametry użytkowe diody. Wynika to z faktu, że dioda OLED jest sterowana prądowo a zatem jej luminancja zależy od gęstości prądu przepływającego przez elektrody. Oznacza to, że wzrost powierzchni diody wymaga zwiększenia wydajności prądowej źródła zasilającego diodę. Jednakże ta zależność może być praktycznie wykorzystywana tylko w przypadku diod o stosunkowo małych powierzchniach aktywnych, gdzie wpływ rezystancji elektrod może być pomijany. Przy większych powierzchniach konieczne jest uwzględnienie spadku napięcia, jaki powstaje na elektrodzie wskutek przepływu prądu. Ten spadek napięcia zależy od luminancji, wydajności prądowej i rezystancji elektrod. Dla określonej luminancji spadek napięcia powinien być znacząco mniejszy niż wartość napięcia zasilającego diodę. W typowych rozwiązaniach konstrukcyjnych diod OLED anodę tworzy przezroczysta warstwa tlenku indowo-cynowego (ITO ) naniesiona na podłoże szklane lub tworzywowe poprzez termiczne naparowanie w próżni [1-6]. Typowa wartość rezystancji powierzchniowej warstwy ITO wynosi od 10…100 Ω/□. Z danych literaturowych wynika, że dla diod o powierzchni kilkunastu cm2 spadek napięcia na warstwie anody nie przekracza akceptowalnej wartości 10% napięcia zasilającego. Przy większych powierzchniach diody, aby spełnić ten warunek dzieli się powierzchnię diody na mniejsze segmenty połączone szeregowo lub zmniejsza się rezystancję warstwy ITO poprzez naniesienie na nią metalowej siatki. W niniejszym artykule przedstawiono wyniki badań odnoszące się do metod zwiększenia równomierności przepływu prądu w strukturach OLED poprzez naparowywanie na anodę metalicznych warstw. Zakr[...]

Wstępne próby starzeniowe organicznych diod elektroluminescencyjnych


  Jednym z głównych wyzwań stawianych przed producentami organicznych diod elektroluminescencyjnych (OLED) jest zwiększenie ich stabilności podczas pracy. Degradacja zachodząca w strukturach OLED podczas ich pracy spowodowana jest zarówno czynnikami zewnętrznymi jak i wewnętrznymi. O ile kontrola wpływu czynników zewnętrznych może być zapewniona poprzez zastosowanie hermetyzacji urządzeń lub przechowywanie ich w atmosferze gazu inertnego, o tyle mechanizmy wewnętrzne powodujące degradację struktur OLED nie są do końca poznane [1]. Rozważane są dwie główne przyczyny zmniejszenia stabilności diod OLED. Pierwsza to degradacja katody, która prowadzi do powstawania tzw. ciemnych miejsc nieemitujących światła. Drugą przyczyną są nieodwracalne zmiany zachodzące w funkcjonalnych warstwach organicznych. Powodują one nadmierny wzrost gęstości prądu w złączu i wzrost jego temperatury, a w efekcie do termicznego starzenia się urządzenia, które prowadzi do stopniowego zmniejszenia intensywności jego świecenia [2, 3]. Do zwiększenia stabilności diod OLED podczas pracy stosowanych jest kilka strategii między innymi modyfikacja składu warstwy przenoszącej dziury HTL (ang. Hole Transport Layer), stosowanie warstwy buforowej pomiędzy anodą i warstwą HTL lub zastosowanie mieszanej warstwy organicznej złożonej z materiału przenoszącego dziury HTM (ang. Hole Transport Material) i materiału przenoszącego elektrony ET M (ang. Electron Transport Material) [1, 3]. W pracy określano wpływ długotrwałego przechowywania oraz wpływ zmiennych warunków temperatury i wilgotności powietrza na stabilność próbek diod OLED wykonanych w warunkach otoczenia. Zakres badań Wykonano próbki diod OLED na podłożu szklanym pokrytym warstwą tlenku indowo- cy[...]

Dobór materiałów lutowniczych do technologii PoP DOI:10.15199/ELE-2014-048


  Rozwój urządzeń elektronicznych, w których jednym z podstawowych wymagań jest szybkość działania, powoduje pojawianie się na rynku podzespołów elektronicznych gwarantujących maksymalne skrócenie czasu cyklu odczyt-zapis przy jednoczesnym niskim zużyciu energii i niskim poziomie szumów i przesłuchów. Naturalną metodą zapewnienia tych wymagań jest bezpośrednie połączenie pamięci z procesorem. Obecnie jedną z najszybciej rozwijających się metod zapewnienia bezpośredniego połączenia procesorów z pamięcią jest ich spiętrzanie, czyli bezpośrednie połączenie techniką lutowania jednego lub kilku układów pamięciowych w obudowach typu BGA (ang. Ball Grid Array) do położonego niżej układu procesora także wykonanym w technice BGA i montowanym bezpośrednio do płytki obwodu drukowanego. Obudowa procesora stanowi mechaniczną bazę konstrukcyjną, na której montowane są piętrowo pamięci. Najczęściej montowana jest jedna pamięć, ale istnieje również możliwość montażu większej ich ilości. Bliskość struktur półprzewodnikowych sprzyja korzystaniu z szybkich połączeń szerokopasmowych i tym bardziej zmniejsza zapotrzebowanie na powierzchnię na płytce drukowanej [1].Montaż podzespołów w technologii Package on Package (PoP) na płytkach drukowanych stanowi duże wyzwanie, przede wszystkim z powodu dużej liczby wejść/wyjść tych podzespołów rozmieszczonych w bardzo małym rastrze (nawet poniżej 0,65 mm) i przy średnicy wyprowadzeń sferycznych rzędu 0,3-0,35 mm. Montaż dwóch (lub więcej) modułów PoP przyczynia się do występowania większego ryzyka odkształcenia struktury (efekt warpage). Ponadto występuje tutaj także zwiększone ryzyko powstawania typowych błędów montażowych dla podzespołów z wyprowadzeniami sferycznymi pod obudową takich jak zwarcia pomiędzy sąsiednimi kulkami układu (mostki), zimnych lutów, braku kulek lub ich zniekształcenia powierzchniowe, efektu "głowa na poduszce" (ang. Head on pillow) i pustych przestrzeni w połączeniach (ang. voids) [...]

Nowoczesne techniki montażu 3D DOI:10.15199/ELE-2014-058


  Trend w kierunku miniaturyzacji, zwiększenia szybkości działania, funkcjonalności i niezawodności urządzeń elektronicznych powoduje pojawianie się na rynku nowych podzespołów i technologii ich sprzężenia oraz montażu. Nowoczesne, mobilne urządzenia multimedialne wymagają bardzo krótkich czasów połączeń procesora i pamięci. Wymusza to zapotrzebowanie na rozwiązania gwarantujące maksymalne skrócenie czasu cyklu odczyt-zapis, przy jednoczesnym niskim zużyciu energii i niskim poziomie szumów i przesłuchów. Najszybszą metodą zapewnienia tych wymagań jest bezpośrednie połączenie pamięci z procesorem poprzez spiętrzanie, czyli nabudowywanie jednej struktury nad drugą. Obecnie jedną z najszybciej rozwijających technologii spiętrzania jest technologia Package on Package (PoP). Technologia PoP polega na piętrowym montażu techniką lutowania jednego lub kilku układów pamięciowych na położonym niżej układzie procesora, montowanym na płytce obwodu drukowanego. Układ procesora oraz pamięci zamknięte są w obudowach typu BGA (Ball Grid Array). Bliskość struktur półprzewodnikowych sprzyja korzystaniu z szybkich połączeń szerokopasmowych i tym bardziej zmniejsza zapotrzebowanie na powierzchnię na płytce drukowanej [1, 2]. Ten sposób montażu przy zwiększonej gęstości upakowania poprawia szybkość działania układów i odporność na zakłócenia elektromagnetyczne (EMC), pozwala również na wcześniejsze przetestowanie każdego z elementów struktury PoP osobno. Szczególnie jest to ważne dla układów logicznych, ponieważ potrzebują one często dużo bardziej skomplikowanej metodologii testowania. Architektura układów PoP pozwala na integrację układów logicznych o wysokiej wydajności (element dolny modułu) z pamięciami o dużych pojemnościach (element górny modułu) w elastycznym opakowaniu 3D. W ten sposób układy te stały się ciekawym rozwiązaniem w urządzeniach multimedialnych: smartfonach, tabletach, aparatach cyfrowych, urządzeniach GPS itp., gdzie ważna je[...]

Bezprądowe cynowanie miedzi z roztworów tiomocznikowych DOI:10.12915/pe.2014.09.03

Czytaj za darmo! »

W pracy dyskutowana jest zależność pomiędzy szybkością procesu immersyjnego cynowania i warunkami prowadzenia tego procesu, takimi jak stężenie kwasu i tiomocznika w roztworze do cynowania na bazie soli chlorkowej (SnHCl) lub soli metanosulfonianowej (SnMSA). Oceniana jest również lutowność warstw Sn. Wyniki eksperymentów wykazują znaczący wpływ stężenia tiomocznika i kwasu na szybkość procesu cynowania, niezależnie od typu roztworu do cynowania. Szybkość osadzania warstw Sn wzrastała ze wzrostem tiomocznika w roztworze. Natomiast szybkość cynowania początkowo rosła, a następnie malała ze wzrostem stężenia kwasu w roztworze. Lutowność badanych warstw bezpośrednio po ich wykonaniu była bardzo dobra lub dobra. Zwilżalność starzonych termicznie warstw cyny przez pastę lutowniczą była gorsza niż warstw w stanie dostawy i zależała od grubości warstw i typu roztworu, z którego były one osadzane. Różnica w lutowności warstw przypisywana była różnicy w ich strukturze i strukturze związków międzymetalicznych. Abstract. In the presented work, the correlation between the immersion Sn coatings deposition rate and the deposition conditions, such as concentrations of acid and thiourea, from immersion tin plating solution based on hydrochloric (SnHCl) salt or methanesulphonic (SnMSA) salt, is discussed. The solderability of tin coatings is also tested. The experiment results show the significant influence of the thiourea and acid concentration on the Sn deposition rate irrespectively of the type of solution. The deposition rate increases with increased concentration of thiourea. However, the deposition rate first increased and then decreased with the increase in acid concentration. The solderability of as-deposited coatings was good or very good. The wettability of thermally aged tin coatings by the solder paste was worse than for as-deposited coatings and depended on the thickness and type of bath. It is being assigned to the difference in the structure of[...]

Pasywny czujnik temperatury aktywowany układem identyfikacji radiowej wytwarzany techniką addytywną DOI:10.15199/13.2017.12.15


  Systemy identyfikacji radiowej RFID (ang. Radio Frequency Identification) znajdują obecnie zastosowanie w wielu obszarach usług i przemysłu, takich jak logistyka, kontrola dostępu, przemysł odzieżowy czy ochrona marki [1-6]. Umożliwiają one m.in. zwiększenie efektywności wykonywanych procesów, wzrost poziomu bezpieczeństwa, zmniejszenie liczby błędów oraz zaangażowania pracowników, co przekłada się bezpośrednio na redukcję kosztów prowadzenia działalności przedsiębiorstw [7]. W chwili obecnej systemy RFID pozwalają nie tylko na identyfikację obiektów, ale również mogą dostarczać danych o warunkach środowiskowych, panujących w otoczeniu monitorowanego dobra. Początkowo prowadzone badania skupiały się na opracowaniu pasywnych czujników, aktywowanych układem identyfikacji radiowej, które mogły być użyte jednokrotnie lub wielokrotnie [8-9]. Ich działanie opierało się na zmianie współczynnika odbicia od wrót wejściowych anteny etykiety RFID. Analiza tej zmiany w zależności od warunków środowiskowych umożliwiała uzyskanie informacji o wahaniach mierzonego parametru otoczenia monitorowanego obiektu. Wadą takiego rozwiązania była konieczności zastosowania oprócz struktury półprzewodnikowej (chip) dodatkowego elementu wrażliwego na działanie wybranego czynnika środowiskowego (np. temperatury, wilgotności, ciśnienia). Taki element mógł mieć postać m.in. spirali, której jedno wyprowadzenie było trwale połączone ze strukturą półprzewodnikową, a drugie za pomocą kleju termotopliwego, zmieniającego stan pod wpływem podwyższonej temperatury [11], warstwy wykonanej w technologii grubowarstwowej z proszku zawierającego SiO2, Al2O3, TiO2, Na2O, K2O i CaO, której rezystancja zmieniała się w zależności od temperatury [12], jak również warstwy wykonanej pasty kompozytowej zawierającej jako wypełniacz wielościenne nanorurki węglowe i nanopłatki grafenu, której właściwości elektryczne wykazywały nieliniową zależność w funkcji ciśnienia [1[...]

 Strona 1  Następna strona »