Wyniki 1-10 spośród 13 dla zapytania: authorDesc:"ANDRZEJ JAKUBOWSKI"

Tranzystor - 60 lat minęło i co dalej?

Czytaj za darmo! »

1 lipca 1948 r. New York Times wydrukował na stronie 48 (w sekcji News of Radio) informację o wynalezieniu przyrządu zwanego tranzystorem, który w wielu zastosowaniach radiowych mógł zastąpić lampy próżniowe. Rzecz wydarzyła się 6 miesięcy wcześniej wBell Laboratories, gdzie 16 grudnia 1947 r. Bardeen i Brattain opracowali konstrukcję przyrządu, składającego się z kawałka germanu i dwóch kon[...]

Characterization of SOI structures by means of 3-level charge-pumping

Czytaj za darmo! »

SOI (Silicon-on-insulator) technology is considered one of the best candidates to ensure further progress of silicon microelectronics [e.g. 1] since most of the multiple gate devices are fabricating using this technology. The progress requires, however, efficient and reliable characterization. Since the body thickness in SOI devices is being reduced, the importance of surface characterizatio[...]

Charakteryzacja tranzystorów typu FinFET na podstawie analizy statycznych charakterystyk prądowo-napięciowych

Czytaj za darmo! »

Wytwarzanie układów scalonych o coraz większej złożoności wymaga zmniejszenia wymiarów pojedynczych tranzystorów. Mniejsze tranzystory gwarantują również większą szybkość działania, ale pojawia się tu dodatkowy warunek - kanał tranzystora MOS powinien być szeroki i krótki. Niestety, możliwości skracania kanału są ograniczone przez niekorzystne zjawiska fizyczne, takie jak zależność napięcia [...]

Modelowanie wybranych efektów krótkiego kanału w dwubramkowym tranzystorze MOS

Czytaj za darmo! »

Dotychczasowy rozwój technologii CMOS był możliwy głównie dzięki zmniejszaniu wymiarów tranzystorów (zarówno poziomych, jak i pionowych). Konsekwencją miniaturyzacji jest jednak coraz silniejszy wpływ efektów pasożytniczych (np. upływność dielektryka bramkowego, efekty krótkiego kanału, wzrost pojemności wewnętrznych przyrządów), zwiększenie komplikacji procesu wytwarzania oraz gwałtowny wzr[...]

Modelowanie napięcia progowego w niedomieszkowanych dwubramkowych strukturach MOS


  Technologia półprzewodnikowa rozwija się w tempie niespotykanym w innych gałęziach przemysłu. Znane dziś dobrze prawo Moore’a [1] opisuje dynamikę postępu tej dziedziny. Potrzeby odbiorców układów elektronicznych wymuszają integrację możliwie największej liczby funkcji w pojedynczym układzie scalonym. Aby zwiększać szybkość działania tych układów i jednocześnie redukować koszty produkcji konieczne staje się zmniejszanie fizycznych rozmiarów przyrządów półprzewodnikowych. Wraz z malejącymi rozmiarami uwidaczniają się efekty pasożytnicze, jak np. DIBL, zależność napięcia progowego od długości kanału, nasycenie ruchliwości, modulacja długości kanału, wstrzykiwanie gorących nośników [2, 3]. Pole elektryczne wynikające z polaryzacji złącza drenu modyfikuje rozkład potencjału w kanale. Prowadzi to do osłabienia wpływu bramki na kanał. Niezbędne stało się poszukiwanie innych konstrukcji przyrządów, które pozwoliłyby podtrzymać elektrostatyczne oddziaływanie bramki, również w strukturach MOS o małych rozmiarach. Jedną z propozycji spełniających to wymaganie są tranzystory dwubramkowe (DGMOS) [4]. Wraz ze zmniejszaniem rozmiarów przyrządów wyraźnie istotne stały się fluktuacje liczby atomów domieszek w obszarze aktywnym przyrządu [5, 6]. Prowadzą one do dużych rozrzutów pomiędzy przyrządami w obrębie pojedynczego układu i oznaczają znaczącą utratę kontroli nad najważniejszymi parametrami wytwarzanych układów. Pojaw[...]

Studies of the feasibility of using global and local optimization methods in MOSFET characterization

Czytaj za darmo! »

Characterization of semiconductor devices is usually based on very simple models [e.g. 1]. The advantage of this approach is that the procedures of parameter extraction are very straightforward (e.g. plotting the experimental data in such a coordinate system that a more or less straight line is obtained and then determining the desired parameters from the intercept with either axis or from t[...]

Model prądu drenu i pojemności w dwubramkowym tranzystorze MOS o krótkim kanale


  Dwubramkowe tranzystory MOS SOI (DGMOSFET) z niedomieszkowanym kanałem uważane są za jedne z najbardziej obiecujących struktur, jeżeli chodzi o skalowanie przyrządów MOS do długości kanału w zakresie 10-50 nm [1, 2]. Zastosowanie symetrycznych tranzystorów dwubramkowych z bardzo cienkimi warstwami obszaru aktywnego i tlenku bramkowego umożliwia minimalizację pasożytniczych efektów krótkiego kanału, dzięki czemu silne i niejednorodne domieszkowanie kanału tranzystora nie jest już potrzebne. Brak intencjonalnie wprowadzonych atomów domieszek powoduje zmniejszenie rozpraszania, a tym samym poprawę ruchliwości oraz eliminuje fluktuacje koncentracji domieszek. Opracowanie dokładnych modeli fizycznych takich tranzystorów jest niezbędne dla symulacji układowych. W literaturze zaproponowano już kilka modeli charakterystyk tranzystora dwubramkowego. Modele oparte na potencjale powierzchniowym można znaleźć np. w [3] i [4]. Modele długokanałowe przedstawiono np. w [5] i [6]. Modyfikacja modelu [6] polegająca na uproszczeniu sposobu obliczania ładunku została wprowadzona w [7], a efekty krótkiego kanału uwzględniono np. w [8] i [9]. Niestety, żaden z wymienionych tu modeli nie obejmuje wszystkich istotnych efektów krótkiego kanału. W [10] przedstawiono nowy opis charakterystyk prądowonapięciowych dwubramkowego tranzystora MOS (oparty na modelu [6]) zawierający następujące efekty krótkiego kanału: nasycenie prędkości nośników, modulację długości kanału, obniżenie wysokości bariery indukowane napięciem drenu, wzrost gęstości ładunku w kanale indukowany napięciem drenu (DICE - opisany po raz pierwszy w [11]) i zależność napięcia progowego od długości kanału. Następnie zbadano wpływ wymienionych powyżej efektów na charakterystyki I-U, a otrzymane rezultaty porównano z wynikami symulacji przeprowadzonych za pomocą pakietu ATLAS. W niniejszej pracy model [10] uzupełniono o opis ładunków w kanale tranzystora oraz pojemności wewnętrznych tra[...]

Koncepcja wykorzystania inklinometrów z czujnikami MEMS do monitorowania obciążenia konstrukcji dachów DOI:10.15199/13.2016.7.11


  W artykule omówiono możliwość wykorzystania inklinometrów wykorzystujących czujniki MEMS do monitorowania poziomu wytężenia stalowych konstrukcji dachów obiektów budowlanych. Czujniki MEMS, ze względu na swoje właściwości metrologiczne i przystępne ceny, pozwalają tworzyć ekonomicznie uzasadnione systemy monitoringu dostarczające wiarygodnej informacji o wytężeniu konstrukcji dachu. W artykule przedstawiono koncepcję wykorzystania inklinometrów MEMS i porównano je z innymi czujnikami pozwalającymi na realizację skutecznego monitoringu konstrukcji dachów. Słowa kluczowe: monitoring konstrukcji dachów, monitoring ugięć, inklinometr MEMS, wspomaganie utrzymania obiektu.Niniejszy artykuł poświęcony jest niewielkiemu, ale bardzo ważnemu fragmentowi obszernego pola aplikacji systemów monitoringu - monitoringowi technicznemu konstrukcji budowlanych, a szczególnie konstrukcji dachów. Podstawowym zadaniem takiego monitoringu jest badanie odpowiedzi konstrukcji dachu na obciążenia zmienne, spowodowane głównie zalegającym zimą śniegiem, ale także deszczem czy obciążeniami technologicznymi. Znajomość zachowania się konstrukcji dachu pod takimi obciążeniami jest szczególnie przydatna, ponieważ prowadząc do zwiększania bezpieczeństwa użytkowania obiektów jednocześnie ułatwia oraz racjonalizuje zarządzanie nimi. Przykładem może być chociażby optymalizacja procesu odśnieżania dachu prowadząca do minimalizacji liczby odśnieżań. Każde takie odśnieżanie dachu, mimo iż samo w sobie jest już bardzo kosztowne, generuje jeszcze dodatkowe koszty związane z naprawami pokrycia dachu uszkodzonego w trakcie procesu odśnieżania. Z tego powodu każdy niezrealizowany proces tego typu, skutkiem dysponowania wiarygodnymi danymi o braku zagrożenia przeciążeniem konstrukcji, daje wymierne i znaczące oszczędności. Wielkości fizyczne wykorzystywane do monitorowania wytężenia konstrukcji Celem omawianych systemów monitoringu jest dostarczanie wiarygodnych info[...]

Możliwość realizacji inklinometru z czujnikiem MEMS dla systemów monitorowania obciążenia konstrukcji dachów DOI:10.15199/13.2017.1.8


  W artykule omówiono możliwości realizacji inklinometru z czujnikiem MEMS dla systemów monitorowania obciążenia konstrukcji. Określono wartości parametrów, które powinien mieć inklinometr aby dawał jakość monitorowania obciążenia konstrukcji dachowych porównywalną z otrzymywaną przy stosowaniu dalmierzy laserowych. Określono, że wykorzystanie czujnika SCA103T w takim inklinometrze wymaga stosowania zewnętrznej kompensacji temperaturowego dryftu offsetu. Przedstawiono wyniki badań modelu inklinometru z czujnikiem SCA103T firmy Murata potwierdzające możliwość realizacji takiego inklinometru. Słowa kluczowe: monitoring konstrukcji dachów, monitoring ugięć, inklinometr MEMS, kompensacja temperaturowych zmian offsetu, kompensacja temperaturowych zmian czułości.System monitoringu zagrożenia bezpieczeństwa użytkowania konstrukcji dachu przez obciążenie zmienne, wykorzystujący dalmierze laserowe do bezpośredniego pomiaru ugięcia konstrukcji [1], jest bardzo dobry metrologicznie ale ma pewne ograniczenia środowiskowe. Przede wszystkim są to: niemożność pracy w ujemnych temperaturach oraz dostępność optyczna stabilnego podłoża. Ten sposób pomiaru wydaje się nie mieć konkurencji - pomiar jest oczywisty i zrozumiały oraz wiarygodnie określa wytężenie konstrukcji. Nie należy więc rezygnować z tych czujników i szukać nowych rozwiązań ale stworzyć system hybrydowy, w którym zastosowany będzie drugi czujnik usuwający owe ograniczenia tam, gdzie jest to niezbędne. Drugi czujnik, który nie będzie działał na takiej samej zasadzie, ale umożliwi pozostanie przy pomiarze przemieszczeń jako podstawowym w systemie monitoringu. W przypadku konstrukcji dachów monitorowane przemieszczenia liniowe wynikają z ugięć elementów konstrukcji, powodujących wprost zmiany kątów nachylenia (obroty) tych elementów. Ponieważ wielkości te (tj. przemieszczenia liniowe i obroty) są ze sobą ściśle i jednoznacznie związane, więc narzucającą się alternatywą dla pomiaru [...]

 Strona 1  Następna strona »