Wyniki 1-5 spośród 5 dla zapytania: authorDesc:"ZYGMUNT ORZECHOWSKI"

Aparatura do pomiaru redukcyjności rud żelaza DOI:


  Zrównoważony rozwój gospodarczy - oparty na wiedzy i innowacji oraz racjonalnym wykorzystaniu kurczących się zasobów surowców naturalnych, wymaga stosowania coraz doskonalszych technik wytwórczych we wszystkich gałęziach przemysłu, w tym także wdrażania coraz nowszych metod pomiarowych parametrów jakościowych surowców stosowanych do realizowanych procesów wytwórczych. Wychodząc naprzeciw zapotrzebowaniu ze strony ośrodków przemysłowych od wielu lat prowadzone są w Instytucie Tele-i Radiotechnicznym prace naukowo-badawcze dotyczące opracowywania zarówno metod pomiarowych, jak i niezbędnej do tego aparatury kontrolno-pomiarowej do różnych procesów przemysłowych. Niniejszy artykuł przedstawia wyniki, aktualnie prowadzonych w Instytucie prac badawczych nad opracowaniem aparatury pomiarowej do oznaczania redukcyjności rud żelaza. Znajomość tego parametru rud żelaza ma istotne znaczenie w przemyśle hutniczym - wpływa bowiem na ekonomikę prowadzenia wytopu surówki w procesie wielkopiecowym. Proces otrzymywania na skalę przemysłową żelaza z jego rud, prowadzony jest w podwyższonej temperaturze w wielkim piecu i polega na wytapianiu żelaza z jego rud: wistytu (FeO), hematytu (Fe2O3), magnetytu (FeO·Fe2O3). Proces ten jest złożony i zachodzi w kilku stadiach, w trakcie których następuje stopniowe przechodzenie żelaza na coraz niższy stopień utlenienia. Redukcję tlenków żelaza prowadzi się za pomocą tlenku węgla, który jest szczególnie czynnym reduktorem, ponieważ jako gaz reaguje z tlenkami żelaza w całej objętości pieca. Zawartość żelaza w jego rudach jest wielkością zmienną. W zależności od złoża zawartość ta waha się w szerokim zakresie np. 30…64% żelaza dla hematytu (Fe2O3) i 50…67% żelaza dla magnetytu (FeO· Fe2O3). Dla optymalnego sposobu prowadzenia procesu wytopu żelaza, przed wprowadzeniem do wielkiego pieca wsadu rud żelaza prowadzone są badania wymienionych rud żelaza, w tym między innymi oznaczana [...]

Precyzyjne układy pomiaru wielkości fizycznych w urządzeniu do badania termoplastyczności rud żelaza DOI:


  Ogólna koncepcja urządzenia i metody pomiarowej zakłada minimalizację masy analizowanej próbki rudy żelaza. W celu odniesienia wyników pomiarowych na skalę makro, podczas prac przyjęto konieczność odzwierciedlenia rzeczywistych warunków przemysłowych w skali mikro. W [3,5] spotkać można dwie metody umożliwiające ocenę parametrów termoplastycznych rud żelaza: statyczną i dynamiczną. Metody te nie są równoważne oraz trudno znaleźć jednoznaczne odpowiedzi o ich przydatności i zasadności wykorzystywania. Metoda statyczna polega na programowym nagrzewaniu analitycznej próbki rud żelaza w tyglu pomiarowym, obciążonym sztywnym trzpieniem wywołującym stały nacisk podczas całego procesu pomiarowego. Parametry termoplastyczne określane są na podstawie temperatur początku i końca plastyczności przy czym, za temperaturę początku plastyczności uznaje się temperaturę, przy której początkowa wysokość próbki zmniejszy się o 1%. Analogicznie, temperatura końca plastyczności definiowana jest jako temperatura, przy której początkowa wysokość próbki zmniejszy się o 40%. Schematycznie zasadę pomiaru przedstawiono na rys. 1a. W metodzie dynamicznej podstawą jest pomiar szybkości procesów plastyczności na podstawie oceny dynamiki zmian odkształcenia próbki pod wpływem stałych lub zmiennych sił wywieranych na próbkę podczas procesu nagrzewania. W celu unifikacji metody pomiarowej przyjęto, że pomiar kąta nachylenia krzywej odwzorowującej uplastycznienie próby wykonywany będzie w chwili wystąpienia 40% ubytku wysokości próbki. Termoplastyczność w niniejszej metodzie pomiarowej wyznaczana jest na podstawie zależności (1). Schematycznie zasadę pomiaru pokazano na rys. 1b. Pl = tgδ(40%) (1) Σ Σ( ) = = ⋅ ⋅ - = [...]

Wielopętlowy układ regulacji temperatury oparty na sterowniku PLC DOI:


  W centrum Urządzeń Cieplno-Chemicznych (CU) Instytutu Tele- i Radiotechnicznego do regulacji temperatury w piecach wielostrefowych były wykorzystywane handlowe regulatory jednopętlowe, sprzężone ze sobą poprzez komputer PC. Poza funkcją sprzęgającą komputer pełnił rolę nadzorującą przebieg procesu, sterującą np. przepływem gazów, archiwizującą dane i inne. Głównymi wadami takiego rozwiązania były: stosowanie elementów pośredniczących, umożliwiających współpracę (np. kart portów RS485), brak odporności komputera (przeznaczonego do pracy w biurze czy w domu) na warunki przemysłowe (zapylenie pyłem węglowym) i związana z tym konieczność umieszczania go w osobnym pomieszczeniu. Artykuł dotyczy zastosowanie do tego celu sterownika PLC. Pozwala to na: - zintegrowanie rozproszonych elementów automatyki, - uproszczenie układu poprzez eliminację elementów pośredniczących, - zwiększenie niezawodności, - obniżenie kosztów produkcji. Wybór sterownika PLC Po przeprowadzonej analizie dostępnych rozwiązań do realizacji zadania wybrany został sterownik PLC firmy Siemens z serii S7-200 [1]. Podstawowym elementem układu regulatora jest jednostka centralna S7-200 CPU 224 w wersji DC/DC/ DC (zasilanie 24 VDC, wyjścia i wejścia cyfrowe). Do pomiaru temperatury w poszczególnych sekcjach wykorzystywane są moduły termoparowe firmy Siemens (EM 231 - 4 kanały) lub jednokanałowe moduły firmy APAR (AR594) komunikujący się ze sterownikiem przez RS485. Sterowanie mocą odbywa się poprzez przekaźniki SSR sterowanie bezpośrednio z wyjść cyfrowych sterownika PLC lub w przypadku dużych prądów (powyżej 120 A) z wykorzystaniem tyrystorowych sterowników mocy i modułów analogowych EM 232 firmy Siemens. Do komunikacji użytkownika ze sterownikiem oraz wprowadzania parametrów prac służy dotykowy ekran operatorski TP277 firmy Siemens. W zależności od potrzeb i konkretnej aplikacji możliwe jest zastąpienie go innym panelem lub ewentualni[...]

Stanowisko do monokrystalizacji SiC

Czytaj za darmo! »

Węglik krzemu (SiC) jest nowoczesnym materiałem półprzewodnikowym, który w elektronice zaczyna odgrywać coraz ważniejszą rolę. Materiał ten stanowi bazę do wytwarzania białych i niebieskich diod LED, ultraszybkich wysokonapięciowych diod Schottky'ego, tranzystorów MOSFET oraz wysokotemperaturowych tyrystorów do przełączania dużych mocy. Elementy te pracują z dużymi częstotliwościami, a[...]

Symulacja procesów monokrystalizacji materiałów półprzewodnikowych metodą VGF

Czytaj za darmo! »

Nowoczesna elektronika wymaga stosowania materiałów o pożądanych właściwościach, pozwalających na konstrukcję przyrządów półprzewodnikowych charakteryzujących się coraz lepszymi parametrami.Wymienić tu można następujące grupy urządzeń: - optoelektroniczne, jak lasery półprzewodnikowe, diody LED czy ogniwa fotowoltaiczne, wymagają użycia materiałów charakteryzujących się niewielką gęstością defektów strukturalnych oraz znaczną ilością domieszek rzędu 1E17 - 1E18 atomów/cm³, - do pracy w wysokich częstotliwościach, jak tranzystory wykorzystujące efekt polowy na częstotliwości mikrofalowe (FET) wymagają materiałów o niewielkiej ilości domieszek w ilości mniejszej niż 1E15 atomów/cm³ [7,10]. Stworzenie bazy dla rozwoju nowoczesnej technologii i aparatury do wytwarzania[...]

 Strona 1