Wyniki 1-9 spośród 9 dla zapytania: authorDesc:"LIDIA ŁUKASIAK"

Tranzystor - 60 lat minęło i co dalej?

Czytaj za darmo! »

1 lipca 1948 r. New York Times wydrukował na stronie 48 (w sekcji News of Radio) informację o wynalezieniu przyrządu zwanego tranzystorem, który w wielu zastosowaniach radiowych mógł zastąpić lampy próżniowe. Rzecz wydarzyła się 6 miesięcy wcześniej wBell Laboratories, gdzie 16 grudnia 1947 r. Bardeen i Brattain opracowali konstrukcję przyrządu, składającego się z kawałka germanu i dwóch kon[...]

Characterization of SOI structures by means of 3-level charge-pumping

Czytaj za darmo! »

SOI (Silicon-on-insulator) technology is considered one of the best candidates to ensure further progress of silicon microelectronics [e.g. 1] since most of the multiple gate devices are fabricating using this technology. The progress requires, however, efficient and reliable characterization. Since the body thickness in SOI devices is being reduced, the importance of surface characterizatio[...]

Charakteryzacja tranzystorów typu FinFET na podstawie analizy statycznych charakterystyk prądowo-napięciowych

Czytaj za darmo! »

Wytwarzanie układów scalonych o coraz większej złożoności wymaga zmniejszenia wymiarów pojedynczych tranzystorów. Mniejsze tranzystory gwarantują również większą szybkość działania, ale pojawia się tu dodatkowy warunek - kanał tranzystora MOS powinien być szeroki i krótki. Niestety, możliwości skracania kanału są ograniczone przez niekorzystne zjawiska fizyczne, takie jak zależność napięcia [...]

Modelowanie wybranych efektów krótkiego kanału w dwubramkowym tranzystorze MOS

Czytaj za darmo! »

Dotychczasowy rozwój technologii CMOS był możliwy głównie dzięki zmniejszaniu wymiarów tranzystorów (zarówno poziomych, jak i pionowych). Konsekwencją miniaturyzacji jest jednak coraz silniejszy wpływ efektów pasożytniczych (np. upływność dielektryka bramkowego, efekty krótkiego kanału, wzrost pojemności wewnętrznych przyrządów), zwiększenie komplikacji procesu wytwarzania oraz gwałtowny wzr[...]

Modelowanie napięcia progowego w niedomieszkowanych dwubramkowych strukturach MOS


  Technologia półprzewodnikowa rozwija się w tempie niespotykanym w innych gałęziach przemysłu. Znane dziś dobrze prawo Moore’a [1] opisuje dynamikę postępu tej dziedziny. Potrzeby odbiorców układów elektronicznych wymuszają integrację możliwie największej liczby funkcji w pojedynczym układzie scalonym. Aby zwiększać szybkość działania tych układów i jednocześnie redukować koszty produkcji konieczne staje się zmniejszanie fizycznych rozmiarów przyrządów półprzewodnikowych. Wraz z malejącymi rozmiarami uwidaczniają się efekty pasożytnicze, jak np. DIBL, zależność napięcia progowego od długości kanału, nasycenie ruchliwości, modulacja długości kanału, wstrzykiwanie gorących nośników [2, 3]. Pole elektryczne wynikające z polaryzacji złącza drenu modyfikuje rozkład potencjału w kanale. Prowadzi to do osłabienia wpływu bramki na kanał. Niezbędne stało się poszukiwanie innych konstrukcji przyrządów, które pozwoliłyby podtrzymać elektrostatyczne oddziaływanie bramki, również w strukturach MOS o małych rozmiarach. Jedną z propozycji spełniających to wymaganie są tranzystory dwubramkowe (DGMOS) [4]. Wraz ze zmniejszaniem rozmiarów przyrządów wyraźnie istotne stały się fluktuacje liczby atomów domieszek w obszarze aktywnym przyrządu [5, 6]. Prowadzą one do dużych rozrzutów pomiędzy przyrządami w obrębie pojedynczego układu i oznaczają znaczącą utratę kontroli nad najważniejszymi parametrami wytwarzanych układów. Pojaw[...]

Studies of the feasibility of using global and local optimization methods in MOSFET characterization

Czytaj za darmo! »

Characterization of semiconductor devices is usually based on very simple models [e.g. 1]. The advantage of this approach is that the procedures of parameter extraction are very straightforward (e.g. plotting the experimental data in such a coordinate system that a more or less straight line is obtained and then determining the desired parameters from the intercept with either axis or from t[...]

Model prądu drenu i pojemności w dwubramkowym tranzystorze MOS o krótkim kanale


  Dwubramkowe tranzystory MOS SOI (DGMOSFET) z niedomieszkowanym kanałem uważane są za jedne z najbardziej obiecujących struktur, jeżeli chodzi o skalowanie przyrządów MOS do długości kanału w zakresie 10-50 nm [1, 2]. Zastosowanie symetrycznych tranzystorów dwubramkowych z bardzo cienkimi warstwami obszaru aktywnego i tlenku bramkowego umożliwia minimalizację pasożytniczych efektów krótkiego kanału, dzięki czemu silne i niejednorodne domieszkowanie kanału tranzystora nie jest już potrzebne. Brak intencjonalnie wprowadzonych atomów domieszek powoduje zmniejszenie rozpraszania, a tym samym poprawę ruchliwości oraz eliminuje fluktuacje koncentracji domieszek. Opracowanie dokładnych modeli fizycznych takich tranzystorów jest niezbędne dla symulacji układowych. W literaturze zaproponowano już kilka modeli charakterystyk tranzystora dwubramkowego. Modele oparte na potencjale powierzchniowym można znaleźć np. w [3] i [4]. Modele długokanałowe przedstawiono np. w [5] i [6]. Modyfikacja modelu [6] polegająca na uproszczeniu sposobu obliczania ładunku została wprowadzona w [7], a efekty krótkiego kanału uwzględniono np. w [8] i [9]. Niestety, żaden z wymienionych tu modeli nie obejmuje wszystkich istotnych efektów krótkiego kanału. W [10] przedstawiono nowy opis charakterystyk prądowonapięciowych dwubramkowego tranzystora MOS (oparty na modelu [6]) zawierający następujące efekty krótkiego kanału: nasycenie prędkości nośników, modulację długości kanału, obniżenie wysokości bariery indukowane napięciem drenu, wzrost gęstości ładunku w kanale indukowany napięciem drenu (DICE - opisany po raz pierwszy w [11]) i zależność napięcia progowego od długości kanału. Następnie zbadano wpływ wymienionych powyżej efektów na charakterystyki I-U, a otrzymane rezultaty porównano z wynikami symulacji przeprowadzonych za pomocą pakietu ATLAS. W niniejszej pracy model [10] uzupełniono o opis ładunków w kanale tranzystora oraz pojemności wewnętrznych tra[...]

Modelowanie prądu pompowania ładunku w dwubramkowych strukturach MOS z bardzo cienką warstwą aktywną

Czytaj za darmo! »

Przez ostatnie 50 lat postęp w mikroelektronice krzemowej odbywał się głównie dzięki miniaturyzacji. Już w latach 70. ubiegłego stulecia zauważono [1,2], że zmniejszaniu wymiarów poziomych musi towarzyszyć redukcja wymiarów pionowych (tj. grubości tlenku bramkowego, głębokości złączy itd.). W przeciwnym przypadku tzw. efekty krótkiego kanału mają niekorzystny wpływ na charakterystyki elektry[...]

Charge pumping characterization of MISFETs with SiO2/BaTiO3 as a gate stack DOI:10.12915/pe.2014.09.08

Czytaj za darmo! »

The results of charge pumping measurements of MISFETs with SiO2/BaTiO3 as a gate stack were presented and discussed. The characterization method was used for verification of thershold voltage and trap density values obtained by static current-voltage (I-V) measurements. Streszczenie. W pracy zaprezentowano i przeanalizowano wyniki pomiarów tranzystorów MISFET wykorzystujących dwuwarstwowy dielektryk SiO2/BaTiO3. Pomiary wykonano przy użyciu metody pompowania ładunku. Stosowana metoda charakteryzacji posłużyła do weryfikacji wartości napięcia progowego tranzystora oraz gęstości pułapek powierzchniowych uzyskanych w oparciu o pomiar statycznych charakterystyk prądowonapięciowych (I-V) tranzystora. (Charakteryzacja tranzystorów MISFET z bramką SiO2/BaTiO3 metodą pompowania ładunku). Keywords: charge pumping, high-k, MISFET, barium titanate, traps density. Słowa kluczowe: metoda pompowania ładunku, wysoka przenikalność elektryczna, tranzystory MISFET, tytanian baru, gęstość pułapek. doi:10.12915/pe.2014.09.08 Introduction Owing to advantageous electrophysical properties (in particular piezoelectricity, high dielectric constant and refractive index values), barium titanate BaTiO3 (BT) ceramics have been one of the most extensively used dielectric materials in electronic applications, such as multilayer ceramic capacitors (MLCCs) [1], electro-optic modulators [2], microwave filters and resonators [3], optical waveguides [4], embedded capacitances in printed circuit boards [5], sensors and actuators [6]. In these areas of applications BaTiO3 has been used in a bulk or a thick layer form. More recently, barium titanate h[...]

 Strona 1