Wyniki 1-3 spośród 3 dla zapytania: authorDesc:" ZBIGNIEW ORMAN"

Detektory średniej podczerwieni (MIR) na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaInSb


  Tellurek kadmowo-rtęciowy, Hg1-xCdxTe (HgCdTe), ze względu na unikalne właściwości, nadal zajmuje wiodącą pozycję wśród materiałów do konstrukcji detektorów promieniowania podczerwonego, szczególnie pracujących bez chłodzenia kriogenicznego [1-6]. Niestety jest on materiałem bardzo trudnym technologicznie. Jednym z największych problemów technologii HgCdTe jest niska stabilność właściwości tego materiału. Wynika ona z niskiej energii wiązania Hg-Te, co w szczególności skutkuje łatwym odparowaniem Hg i HgTe z roztworu oraz tworzeniem luk w podsieci metalu. Wynikająca z tego niestabilność sieciowa i powierzchniowa związku powoduje przyśpieszoną degradację detektorów podczerwieni konstruowanych z HgCdTe. Problem ten ujawnia się szczególnie w wąskoprzerwowym HgCdTe. Ponadto okazuje się, że małe fluktuacje składu Hg1-xCdxTe powodują duże fluktuacje w długofalowej granicy czułości, co w konsekwencji powoduje duże trudności w uzyskiwaniu jednorodnych macierzy detektorów, szczególnie w długofalowym zakresie widma podczerwieni 12…16 μm. Niejednorodności składu są natomiast przyczyną niskiej rozdzielczości temperaturowej macierzy. Najbardziej perspektywicznym nowym materiałem do konstrukcji detektorów podczerwieni są supersieci z naprężeniami SLSs (ang. Strained Layer Superlattices) układu InAs/Ga1-xInxSb (InAs/GaInSb). Już w 1987 r. wskazali na to Smith i Mailhiot [7]. Te związki półprzewodnikowe, ze względu na większy udział wiązania kowalencyjnego, charakteryzują się większą trwałością wiązań w porównaniu z HgCdTe. Poza tym supersieci II rodzaju InAs/Ga- InSb mają szereg właściwości, podobnych do tych, jakie obserwuje się w HgCdTe [8-10]. Współczynniki absorpcji w obu materiałach są podobne, więc wydajności kwantowe detektorów z obu tych materiałów również są podobne. Szerokość przerwy energetycznej w obu materiałach można zmieniać w szerokim zakresie. Supersieci II rodzaju InAs/GaInSb mogą być także stosowane do konstru[...]

Niechłodzone i minimalnie chłodzone detektory średniej i dalekiej podczerwieni nowej generacji

Czytaj za darmo! »

Konieczność chłodzenia kriogenicznego jest główną przeszkodą na drodze do szerokich zastosowań techniki w zakresie średniej (3...8 µm) i dalekiej (8...16 µm) podczerwieni. Podstawową cechą nowej generacji fotodetektorów promieniowania podczerwonego pracujących w obu zakresach widmowych jest efektywna praca bez konieczności chłodzenia kriogenicznego. Polską specjalnością badawczą[...]

Optymalizacja epitaksji i doskonalenie architektury detektorów podczerwieni z HgCdTe

Czytaj za darmo! »

Technika podczerwieni znalazła trwałą pozycję w zastosowaniach militarnych, lotniczych i kosmicznych, a obecnie następuje gwałtowny rozwój zastosowań cywilnych [1,2]. Podstawowym elementem każdego urządzenia techniki podczerwieni jest detektor promieniowania podczerwonego, który decydująco wpływa na walory użytkowe urządzeń. Wysokie wykrywalności bliskie do fundamentalnych granic określonych przez kwantowy szum promieniowana i wysokie szybkości działania mogą być osiągnięte tylko przy użyciu detektorów fotonowych (fotodetektorów). Szczególne znaczenie dla rozwoju detektorów ma tellurek kadmowo-rtęciowy (Hg1-xCdxTe), materiał, który umożliwia konstrukcję detektorów o optymalnych właściwościach dla każdej długości fali w zakresie bliskiej, średniej i dalekiej podczerwieni [1-5].[...]

 Strona 1