Wyniki 1-4 spośród 4 dla zapytania: authorDesc:"ANDRZEJ JAGODA"

Osadzanie warstw SiC na podłożach krzemowych metodą sputteringu

Czytaj za darmo! »

Węglik krzemu, dzięki swoim właściwościom fizykochemicznym, takim jak: wysokie napięcie przebicia pola elektrycznego (2,2 × 106 V/cm), dobre przewodnictwo termiczne (3,0...3,8 W/cm K), wartość przerwy energetycznej równa od 2,3 do 3,1 eV (dla różnych politypów) [4], duża ruchliwość nośników i wysoka odporność na działanie czynników chemicznych, jest interesującym materiałem do produkcji urzą[...]

Tranzystory TFT z amorficznego GaN otrzymane na powierzchni krzemowej lub kwarcowej z metalizowanym wzorem

Czytaj za darmo! »

W latach 1997-1998 S.Kobayashi i inni [1-3] zaproponowali wykonanie tranzystorów TFT z cienkich warstw amorficznych i polikrystalicznych GaN. Zaletą GaN jest duża przerwa zabroniona 3,39 eV, co czyni ten materiał przezroczystym (nieabsorbującym) dla promieniowania widzialnego i powoduje niewrażliwość tranzystora TFT na zmianę oświetlenia. Do chwili obecnej brak nowych doniesień na temat dals[...]

Wysokonapięciowa dioda z barierą Schottky'ego z węglika krzemu

Czytaj za darmo! »

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych realizuje zadanie nr 1 w projekcie PBZ-MEiN-6/2/2006 Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wysokich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur. Podstawowym zobowiązaniem Instytutu jest opracowanie technologii monokrystalizacji SiC oraz technologii wzrostu warstw epitaksjalnych dla potrzeb pozostałych uczestników projektu, a szczególnie dla realizatorów zadania drugiego, którzy są zobowiązani do wykonywania przyrządów półprzewodnikowych. Producent podłoży powinien kontrolować najważniejszy parametr, który ma decydujące znaczenie dla spełnienia podstawowych oczekiwań konstruktorów przyrządów wykonywanych z SiC. Wyższość węglika krzemu nad krzemem wynika z większej wartości elektrycznego po[...]

Monolityczny mikrofalowy układ scalony GaN/AlGaN DOI:10.15199/13.2015.6.1


  Azotek galu jest półprzewodnikiem z szeroką przerwą zabronioną. Przyrządy wykonane z GaN mogą poprawnie pracować w temperaturze wyższej niż przyrządy krzemowe. Półprzewodniki potrójne AlGaN i InGaN mają inną szerokość przerwy zabronionej niż GaN i na granicach warstw GaN/Al- GaN InGaN/AlGaN pojawia się dwuwymiarowa warstwa ładunku, którego nośniki mogą osiągać dużą prędkość. Węglik krzemu (SiC), który jest powszechnie stosowany w energoelektronice i ma jeszcze lepsze parametry cieplne niż GaN, nie może posłużyć do konstrukcji tranzystorów szybkich, ponieważ w tym systemie nie można uzyskać dwuwymiarowego gazu elektronowego na granicy półprzewodników o różnym składzie. Podobnie jak w materiale SiC w systemie GaN/AlGaN pole krytyczne, przy którym występuje zjawisko przebicia lawinowego osiąga dużą wartość, co umożliwia konstrukcję wydajnych przyrządów mocy. Zatem azotek galu jest idealnym materiałem do wykonania mikrofalowych przyrządów mocy. Wadą systemu GaN/AlGaN jest brak monokrystalicznych podłoży GaN o dużej średnicy, dobrej jakości i niskiej cenie. Obecnie główny rynek przyrządów z GaN/AlGaN to białe żródła światła. Diody elektroluminescencyjne z GaN/AlGaN są wykonywane na podłożach krzemowych o średnicy 200 mm i 300 mm. Dioda emituje światło niebieskie lub ultrafioletowe, którego konwersję realizuje warstwa luminoforu fosforowego. W elektronice mikrofalowej, cywilnej i wojskowej przyrządy z GaN/AlGaN są wykonywane na podłożach z węglika krzemu o średnicy 125 mm i 150 mm dlatego, że jakość krystaliczna warstw na podłożu SiC jest znacznie lepsza niż na podłożu krzemowym. W ITME opracowano technologię trzyrządów HEMT z GaN/AlGaN na podłożach szfirowych i podłożach z węglika krzemu. Szafir jest tanim i dobrze poznanym podłożem dla systemu GaN/AlGaN, ale źle przewodzi ciepło. Wiele elementów docelowej technologii GaN/AlGaN na podłożu SiC można opracować na podłożach szafirowych. Zarówno przyrządy HEMT jak układ scalony MMI[...]

 Strona 1