Przemysłowa metoda wytwarzania grafenu bardzo wysokiej jakości, opracowana przez zespół naukowy dr. inż. Włodzimierza Strupińskiego z Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych uzyska ochronę patentową na cały świat. Metoda jest modyfikacją nurtu rozwijanego w Georgia Institute of Technology, Atlanta, USA. Tamtejsi uczeni opatentowali również w 2004r sposób wytwarzania grafenu nie poprzez odrywanie, a poprzez wytworzenie warstewki węgla na powierzchni węglika krzemu. Polacy zmodyfikowali metodę amerykańską, z użyciem węglika krzemu, poprzez wykorzystanie typowych urządzeń do wytwarzania epitaksjalnych struktur półprzewodnikowych. Patent Amerykanów obejmuje natomiast bardzo specjalistyczne urządzenia, które - zdaniem Strupińskiego - ciężko wykonać i wykorzystywać w warunkach przemysłowych. Grafen otrzymywany metodami chemicznymi, gdzie właściwości mechaniczne czy optyczne są bardziej istotne niż transport elektronów, może też służyć do wytwarzania materiałów kompozytowych, przezroczystych elektrod w ogniwach słonecznych, superkondensatorów i ogniw wodorowych. Artykuł na temat polskich osiągnięć opublikowało prestiżowe w tej dziedzinie czasopismo naukowe Nano-Letters (vol. 11(4), 2011, 1786-1791; http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl200390e).
http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl200390e).
