Miesięcznik ISSN 0033-2089, e-ISSN 2449-9528 - rok powstania: 1960
Czasopismo Stowarzyszenia Elektryków Polskich (SEP) wydawane przy współpracy Komitetu Elektronikii Telekomunikacji PAN
TECHNIKA SENSOROWA Struktury epitaksjalne do mikrolaserów z pasywną modulacją dobroci rezonatora
mgr JERZY SARNECKI1, dr inż. KRZYSZTOF KOPCZYŃSKI2, dr hab. inż. ZYGMUNT MIERCZYK2 mgr inż. JERZY SKWARCZ1, mgr inż. JAROSŁAW MŁYŃCZAK2 1 Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa 2 In
[...]
dr JERZY LANGNER1', prof. dr hab. MAREK J. SADOWSKI1), prof. dr SERGIO TAZZARI2' 1) The Andrzej Soltan Institute for Nuclear Studies (IPJ), Świerk, Poland 2) Tor Yergata University and INFN-Roma2, Rom więcej »
mgr inż. WOJCIECH KAMIŃSKI, dr inż. JERZY KĘSIK Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki W gazowych laserach jonowych występuje zjawisko tzw. przepompowywania gazu, polegaj więcej »
mgr inż. MICHAŁ ĆWIL12 dr PIOTR KONARSKI1 1 Przemysłowy Instytut Elektroniki, Laboratorium Aparatury Próżniowej, Warszawa 2 Politechnika Warszawska, Wydział Fizyki Analiza profilowa metodą spektrometr więcej »
mgr inż. TOMASZ BIENIEK, prof. nzw. dr hab. inż. ROMUALD B. BECK, prof. dr hab. inż. ANDRZEJ JAKUBOWSKI Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki dr inż. ANDRZEJ KUDŁA, Inst więcej »
dr hab. inż. LIDIA ŁUKASIAK, prof. dr hab. inż. ANDRZEJ JAKUBOWSKI Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Kanał SiGe stosuje się w p-kanałowych tranzystorach MOS, aby zwi więcej »
mgr inż. ANNA SIDLAREWICZ, dr inż. ELŻBIETA PIWOWARSKA Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Małe wymiary charakterystyczne (0,09...0,25nm) elementów, ogromna gęstość up więcej »
dr inż. JANUSZ MARKOWSKI, mgr inż. KRZYSZTOF WIERNY Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Twarde warstwy znajdują coraz większe zastosowanie jako warstwy wierzchnie, na więcej »
mgr inż. RAFAŁ TOMASZEK1 4, prof. LECH PAWŁOWSKI1, prof. JEAN GRIMBLOT2 mgr inż. JACKY LAUREYNS3, dr inż. ZBIGNIEW ZNAMIROWSKI4, prof. JERZY ZDANOWSKI4 1 LCPS, UMR CNRS 8012, ENSCL, USTL, F-59652 Vill więcej »
dr inż. MICHAŁ PAWŁOWSKI1 2, dr inż. ROMAN KOZŁOWSKI1, dr hab. inż. PAWEŁ KAMIŃSKI1 mgr inż. MARIUSZ WIERZBOWSKI3, dr inż. STANISŁAW JANKOWSKI3 1 Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warsz więcej »
dr inż. WITOLD MICKIEWICZ, Politechnika Szczecińska, Instytut Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki Postęp w produkcji cyfrowych układów scalonych bardzo wielkiej skali integracji zaowocował dwie więcej »
inż. MAREK LESKO, doc. dr hab. inż. HENRYK M. PRZEWŁOCKI, Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa W ostatnich latach uzyskiwano rozbieżne wartości kontaktowej różnicy potencjałów ęMS dla (teoretyc więcej »
dr inż. ZBIGNIEW SZCZEŚNIAK Politechnika Świętokrzyska, Wydział Elektrotechniki, Automatyki i Informatyki, Kielce Prędkości - kątowa i liniowa są wielkościami fizycznymi, których pomiary są stosowane więcej »
dr hab. ANDRZEJ PFITZNER, Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Funkcjonowanie prototypów układów scalonych zależy od uwarunkowanych technologicznie zmian właściwości ic więcej »
Od wielu lat na całym świecie podejmowane są wysiłki zmierzające do eliminacji szkodliwego dla zdrowia i naturalnego środowiska wpływu ołowiu. W 2003 roku Komisja Europejska opublikowała Dyrektywę 200 więcej »
dr hab. inż. ANDRZEJ ŁOZINSKI, Politechnika Gdańska, Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki dr inż. KRZYSZTOF GÓRECKI, Akademia Morska w Gdyni, Wydział Elektryczny Bolometr należy do termi więcej »
mgr inż. ARTUR SZCZĘSNY1 2, dr inż. ELIANA KAMIŃSKA2 prof. dr hab. inż. ANNA PIOTROWSKA2, dr hab. inż. JAN SZMIDT1 1 Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki 2 Instytut Tec więcej »
dr inż. MICHAŁ PAWŁOWSKI1 2, dr hab. inż. PAWEŁ KAMIŃSKI1, dr inż. ROMAN KOZŁOWSKI1 mgr inż. MARIUSZ WIERZBOWSKI3, dr inż. STANISŁAW JANKOWSKI3, mgr inż. MARCIN MICZUGA2 1 Instytut Technologii Materia więcej »
mgr inż. TOMASZ PIASECKI, mgr inż. WOJCIECH KOŚNIKOWSKI Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Materiały AIII-N są przydatne w konstrukcji półprzewodnikowych przyrządów więcej »
Tadeusz Kaczorek, Andrzej Dzieliński, Włodzimierz Dąbrowski, Rafał Łopatka: Podstawy teorii sterowania. Wydawnictwo Naukowo-Techniczne, wy d. l, Warszawa 2005, stron 489, www.wnt.com.pl. Jest to podrę więcej »
mgr inż. ANDRZEJ SIKORA, dr inż. TEODOR GOTSZALK, dr hab. inż. ROMAN SZELOCH Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Mikroskopia Bliskich Oddziaływań (ang. Scanning Próbę więcej »
inż. JĘDRZEJ STĘSZEWSKI, prof. dr hab. ANDRZEJ JAKUBOWSKI Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Węglik krzemu jest bardzo interesującym materiałem dla wysokotemperaturow więcej »
dr inż. ANDRZEJ STEC, Politechnika Rzeszowska, Wydział Elektrotechniki i Informatyki Modelowanie procesu reaktywnego rozpylania magnetronowego rozpatrywane jest zwykle jedynie w odniesieniu do stanu u więcej »
MACIEJ CHOROWSKI1, BERTRAND BAUDOUY2, FREDERIC MICHEL2, JAROSŁAW POLIŃSKI1 RÓB van WEELDEREN3 1 Wrocław University of Technology, 2 CEA, Saclay, 3 CERN, Geneva Plans for the Large Hadron Collider upgr więcej »
Oprogramowanie YERITAS z implementacjami bazy danych Oracle 100 Zdaniem firmy VERITAS Software, istnieje 10 powodów, które przemawiajązatym, aby stosować wymienione oprogramowanie: 1. Elastyczność w ś więcej »
dr inż. KRZYSZTOF T. WOJCIECHOWSKI, mgr inż. JULIUSZ LESZCZYŃSKI Akademia Górniczo-Hutnicza, Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki, Kraków Trójantymonek kobaltu jest półprzewodnikiem o wąskiej pr więcej »
Planarne domieszkowanie (ang. d-doping) jest nowoczesną techniką epitaksjalnego domieszkowania półprzewodników, polegającą na przestrzennym ograniczeniu wprowadzanej domieszki do jednej lub kilku wars więcej »
dr inż. ADAM RUTKOWSKI, dr hab. inż. BRONISŁAW STEC Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Elektroniki, Instytut Radiolokacji, Warszawa Kierunek przyjścia sygnału mikrofalowego jest jednym z ważniejszy więcej »
dr inż. ADAM RUTKOWSKI, dr hab. inż. BRONISŁAW STEC Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Elektroniki, Instytut Radiolokacji, Warszawa Kierunek przyjścia sygnału mikrofalowego jest jednym z ważniejszy więcej »
prof. dr hab. inż. ANDRZEJ NAPIERALSKI, dr inż. MARIUSZ GRECKI, mgr inż. PPRZEMYSŁAW SĘKALSKI mgr inż. DARIUSZ MAKOWSKI, mgr inż. MARCIN WÓJTOWSKI, mgr inż. WOJCIECH CICHALEWSKI mgr inż. BOGUSŁAW KOSĘ więcej »
dr inż. KRZYSZTOF MLECZKO, mgr inż. DARIUSZ ŻAK, dr hab. inż. ANDRZEJ KOLEK dr inż. ADAM W. STADLER, mgr inż. PIOTR SZAŁAŃSKI, mgr inż. ZBIGNIEW ZAWIŚLAK Politechnika Rzeszowska, Katedra Podstaw Elekt więcej »
dr inż. MAŁGORZATA JAKUBOWSKA1, dr inż. JERZY KALENIK2, dr inż. RYSZARD KISIEL2 1 Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa 2 Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoe więcej »
mgr BEATA STAŃCZYK, mgr inż. ANDRZEJ JAGODA, dr inż. LECH DOBRZAŃSKI Insytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa W ostatnich latach azotki III grupy, takie jak GaN, AIN, które mają szerok więcej »
Siatki Bragga w wodorowanych włóknach telekomunikacyjnych dr inż. KAZIMIERZ JĘDRZEJEWSKI, dr inż. LECH LEWANDOWSKI, prof. dr hab. inż. JERZY HELSZTYŃSKI mgr inż. WIESŁAW JASIEWICZ, Politechnika Warsza więcej »
mgr inż. ROBERT MROCZYŃSKI, mgr inż. MICHAŁ CUCH, mgr inż. TOMASZ BIENIEK prof. nzw. dr hab. inż. R. B. BECK, prof. dr hab. inż. ANDRZEJ JAKUBOWSKI Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i więcej »
dr inż. ELŻBIETA MACHOWSKA-PODSIADŁO, dr inż. MARIUSZ MĄCZKA Politechnika Rzeszowska, Katedra Podstaw Elektroniki Tranzystor jednoelektronowy (SET) formowany w heterostrukturze GaAs/AlxGai-xAs (rys. 1 więcej »
dr inż. JAROSŁAW DOMARADZKI, mgr inż. EUGENIUSZ L. PROCIÓW, dr hab. inż. DANUTA KACZMAREK, prof. dr hab. inż. ANDRZEJ MULAK, Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Z lit więcej »
mgr inż. ŁUKASZ RUTA, mgr inż. ARTUR TURAŁA, mgr inż. ARTUR KALINOWSKI mgr inż. GRZEGORZ FAŁKOWSKI, Instytut Elektroniki, Politechnika Łódzka dr MARIE-PAULE BESLAND, LEOM Ecole Centrale de Lyon, Franc więcej »
dr hab. inż. RYSZARD S. ROMANIUK, dr inż. KRZYSZTOF POŹNIAK, mgr TOMASZ CZARSKI Politechnika Warszawska, Instytut Systemów Elektronicznych W Politechnice Warszawskiej realizatorem wspólnych działań ba więcej »
mgr inż. MATEUSZ ŚMIETANA, dr hab. inż. JAN SZMIDT Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki dr inż. MARIUSZ DUDEK, Politechnika Łódzka, Instytut Inżynierii Materiałowej War więcej »
mgr inż. JAKUB BRZEZIŃSKI, dr hab. inż. TADEUSZ M. BERLICKI prof. PWr. Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Zaprezentowano metodę i wyniki pomiarów parametrów cieplnyc więcej »
dr inż. MAŁGORZATA KRAMKOWSKA, dr inż. IRENA ZUBEL Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Dodatki alkoholowe do roztworu KOH zmieniają anizotropię trawienia. Jest to kor więcej »
dr ELŻBIETA SCHABOWSKA-OSIOWSKA, prof. dr hab. TADEUSZ PISARKIEWICZ, dr inż. TERESA KENIG Akademia Górniczo-Hutnicza, Katedra Elektroniki, Kraków dr inż. BARTOSZ HANDKE, Polska Akademia Nauk, Instytut więcej »
mgr inż. HANNA WRZESIŃSKA, Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa KAROLINA MAŁYSKA, dr hab. inż. ZYGMUNT RYMUZA, prof. nzw. PW, ŁUKASZ RATAJCZYK Politechnika Warszawska, Instytut Mikromechaniki i więcej »
dr hab. LESZEK WÓJCIK, dr ARTUR MARKOWSKI Uniwersytet im. Marii Curie-Skłodowskiej, Instytut Fizyki, Lublin Generalnie istnieją dwie metody badania reakcji jonowo-molekularnych przy wykorzystaniu meto więcej »
mgr inż. EWA KURJATA-PFITZNER, mgr inż. ANDRZEJ J. SZYMAŃSKI Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa Układy scalone do systemów komunikacji bezprzewodowej różnych typów określane są wspólną nazwą więcej »
dr hab. inż. WITOLD M. POSADOWSKI Politechnika Wrocławska, Zwiększanie wydajności nanoszenia warstw otrzymywanych za pomocą układów magnetronowych to z jednej strony minimalizowanie wpływu niepożądany więcej »
dr hab. inż. MAREK ZIELIŃSKI, prof. UMK, SŁAWOMIR GRZELAK, mgr DARIUSZ CHABERSKI mgr ROBERT FRANKOWSKI, mgr MARCIN KOWALSKI Uniwersytet Mikołaja Kopernika, Instytut Fizyki, Zakład Fizyki Technicznej i więcej »
Największa polska organizacja naukowo- -techniczna, jakąjest Stowarzyszenie Elektryków Polskich, obchodziła w 2004 roku jubileusz 85-lecia swojej działalności. Środowisko słaboprądowe zawsze stanowiło więcej »
mgr inż. ADAM JAROSZ, dr hab. ANDRZEJ PFITZNER Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Zwiększeniu skali integracji współczesnych układów towarzyszy wzrost ich powierzchni więcej »