TECHNIKA SENSOROWA Struktury epitaksjalne do mikrolaserów z pasywną modulacją dobroci rezonatora

J. Sarnecki K. Kopczyński Z. Mierczyk J. Skwarcz J. Mtyriczak 

mgr JERZY SARNECKI1, dr inż. KRZYSZTOF KOPCZYŃSKI2, dr hab. inż. ZYGMUNT MIERCZYK2 mgr inż. JERZY SKWARCZ1, mgr inż. JAROSŁAW MŁYŃCZAK2 1 Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa 2 In [...]

• ZAKUP JEDNORAZOWY I DOSTĘP DO WIRTUALNEJ CZYTELNI
• PRENUMERATA PAPIEROWA

  Czytaj za darmo! »

Prenumerata

Szanowny Kliencie! Zamów roczną prenumeratę w wersji PLUS a uzyskasz dostęp do archiwalnych publikacji tego czasopisma. Nie zwlekaj - skorzystaj z tysięcy publikacji o najwyższym poziomie merytorycznym.

prenumerata papierowa roczna PLUS (z dostępem do archiwum e-publikacji) - tylko 519,00 zł prenumerata papierowa roczna PLUS z 10% rabatem (umowa ciągła) - tylko 467,10 zł *) prenumerata papierowa roczna - 450,00 zł prenumerata papierowa półroczna - 225,00 zł prenumerata papierowa kwartalna - 112,50 zł

okres prenumeraty:  od stycznia od lutego od marca od kwietnia od maja od czerwca od lipca od sierpnia od września od października od listopada od grudnia 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017

*) Warunkiem uzyskania rabatu jest zawarcie umowy Prenumeraty Ciągłej (wzór formularza umowy do pobrania). Po jego wydrukowaniu, wypełnieniu i podpisaniu prosimy o przesłanie umowy (w dwóch egzemplarzach) do Zakładu Kolportażu Wydawnictwa SIGMA-NOT.

Zaprenumeruj także inne czasopisma Wydawnictwa "Sigma-NOT" - przejdź na stronę fomularza zbiorczego »

INNE PUBLIKACJE W TYM ZESZYCIE

Działalność badawcza w programie CARE-JRA1. Wytwarzanie wnęk rezonatorów z cienkimi pokryciami z nadprzewodników Analiza efektu pompowania gazu w jonowych laserach argonowych Analiza profilowa SIMS półprzewodnikowych struktur laserowych wiązką jonową Ar+ Analiza skutków ultrapłytkiej implantacji jonów azotu w plazmie w. cz. 13,56 MHz Analiza wpływu parametrów MOS kanału SiGe na charakterystyki C-U kondensatora Automatyzacja wstawiania punktów testowych w układzie cyfrowym Azotki, węgliki i węglikoazotki cyrkonu otrzymywane metodą platerowania jonowego Badania mikrostruktury punktów emisji elektronowej Badanie centrów defektowych w kryształach półizolującego Badanie odpowiedzi impulsowej układów liniowych przy wykorzystaniu pobudzeń pseudolosowych i sprzętowego wspomagania obliczeń Badanie wpływu temperatury na parametry elektryczne struktur MOS Cyfrowe metody pomiaru prędkości z zastosowaniem optoelektronicznego przetwornika położenia Dwuwymiarowy model hybrydowy domieszkowania do symulacji statystycznej układów scalonych ELFNET-Europejska sieć dla lutów bezołowiowych Emisyjność warstw tlenków lantanowo-strontowo-kobaltowych LSCO i lantanowo-strontowo-żelazowych LSFO przeznaczonych na bolometr GaN- materiał do konstrukcji przyrządów pracujących przy wysokich częstotliwościach (HEMT) i w ekstremalnych warunkach Inteligentny system pomiarowy do badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych Komputerowe modelowanie przyrządów opartych na heterostrukturzen AIGaN-GaN-Al2O3 KSIĄŻKI Mikroskopia sił shear force w badaniu topografii i właściwości emisyjnych powierzchni Modelowanie charakterystyk I-U tranzystora MOS na węgliku krzemu 4H-SIC oraz 6H-SiC Modelowanie dynamiki reaktywnego rozpylania magnetronowego Następny Dipol Europejski-działalność Politechniki Wrocławskiej w programie CARE NOWOŚCI TECHNIKI Otrzymywanie i właściwości termoelektryczne CoSb3 typu p i n Planarne domieszkowanie krzemem... Pomiary kierunku przyjścia sygnałów mikrofalowych Pomiary kierunku przyjścia sygnałów mikrofalowych Przegląd prac Politechniki Łódzkiej realizowanych w programie CARE Rezystory grubowarstwowe RuO2 + szkło jako kriogeniczne czujniki temperatury Rezystory molibdenowe -ekonomiczna propozycja dla techniki grubowarstwowej Selektywne osadzanie warstw GaN na podłożach krzemowych metodą reaktywnego sputteringu Siatki Bragga w wodorowanych włóknach telekomunikacyjnych Stabilność termiczna ultracienkich warstw tlenko-azotków osadzanych metodą PECVD Stany elektronowe w tranzystorze jednoelektronowym formowanym w heterostrukturze GaAs-AlxGa1-x As Strukturalne i optyczne właściwości cienkich warstw tlenków tytanu modyfikowanych przez domieszkowanie hafnem Trawienie fosforku indu w plazmie chlorowej metodą lCP Udział Politechniki Warszawskiej w programie CARE Warstwa diamentopodobna jako obszar czynny dla czujników światłowodowych Warstwowy czujnik do pomiarów parametrów cieplnych materiałów Wpływ dodatków alkoholowych do roztworów KOH na morfologię różnych płaszczyzn Si hkl Wpływ grubości na optyczne, strukturalne i elektryczne właściwości cienkich warstw CdS otrzymywanych metodą CBD Wpływ materiału przekładki na odporność na zarysowanie supersieci TiN-CrN Wpływ pola elektrycznego repelera na reakcje jonowo-molekularne w wysokociśnieniowym źródle jonów Wybrane problemy projektowania układów RF Wydajność otrzymywania warstw dielektrycznych nanoszonych metodą reaktywnego rozpylania magnetronowego Wysokorozdzielczy moduł pomiaru odcinka czasowego z odczytem noniuszowym Z DZIAŁALNOŚCI STOWARZYSZENIA SEP III, IV Zależność pojemności pasożytniczych od konfiguracji magistrali połączeń