Tlenek indowo-cynowy, znany jako ITO , stanowi roztwór stały tlenków In2O3 oraz SnO2 w proporcji odpowiednio 90/10% wag. Powszechne zainteresowanie tym materiałem jest następstwem badań jakie miały miejsce na przełomie lat 40. i 50. ubiegłego stulecia, kiedy zwrócono uwagę na nietypowe właściwości niestechiometrycznych tlenków indu i cyny, wytwarzanych metodami parowania próżniowego [1]. Tlenki te mogą charakteryzować się dużą przezroczystością dla światła widzialnego, na poziomie zazwyczaj powyżej 80% oraz niewielką (jak na tlenki) rezystywnością w temperaturze pokojowej, nawet poniżej 10-3 Ωcm. Duża koncentracja (na poziomie około 1019 - 1021 cm-3) oraz ruchliwość (kilka - kilkanaście cm2 V-1s-1) elektronów w tym materiale sprawia, że jest on chętnie wykorzystywany do wytwarzania przezroczystych elektrod przewodzących w różnego rodzaju wyświetlaczach, np. LCD. ITO może być nanoszony z wykorzystaniem różnych technik, przy czym do najpopularniejszych metod stosowanych w przemyśle należy zaliczyć metody fizycznego nanoszenia z fazy gazowej (PVD): metodę rozpylania (MS) oraz metodę parowania (EBE) [2]. Najważniejsze, ze względu na zastosowania właściwości ITO , do których należą przezroczystość oraz przewodnictwo elektryczne ściśle zależą od warunków nanoszenia warstw w trakcie procesu osadzania oraz od warunków ich obróbki poprocesowej. W niniejszym artykule przedyskutowano zagadnienia związane z doborem warunków osadzania warstw przezroczystych i przewodzących warstw ITO metodą parowania wiązką elektronową. Warstwy wytwarzane były z przeznaczeniem na elektrody sterujące struktur elektrochromowych. Założono, że aby umożliwić poprawną pracę takich struktur warstwy powinny charakteryzować się przezroczystością na poziomie co najmniej 70% oraz rezystywnością nie większą niż 10-2 Ωcm. Część eksperymentalna Warstwy naniesiono na przemysłowym stanowisku do osadzania warstw cienkich metodą parowania wiązką elektronową z k [...]