Wykonano i zbadano układy połączeń chipów tranzystora HEMT AlGaN/GaN/(111)Si, metalizowanych warstwami montażowymi Cu, Ag lub Au, z podłożami DBC wykorzystując technologię SLID oraz technologię zgrzewania mikroproszkiem Ag. Siły adhezji połączeń chipów, w których zastosowano pośrednią galwaniczną warstwę (1 m)Sn, dobraną siłę nacisku, temperaturę 280oC i czas 30 min. dla procesu spiekania, są powyżej 22 MPa. Połączenie chipu ze spodnią metalizacją Ag zgrzewane z DBC poprzez mikroproszek Ag cechuje siła adhezji powyżej 22 MPa.
Słowa kluczowe: montaż, technologia połączeń SLID, DBC, HEMT, AlGaN/GaN/Si
Abstract
The connection systems of AlGaN/GaN on (111)Si chip metallized with Cu, Ag or Au (mounting layers) were preformed to DBC plates using Solid Liquid phase Interdiffusion (SLID) technology and Ag sintering bonding, and the systems were verified. The chip adhesion forces for DBC samples with intermediate galvanic (1 m)Sn layer, and the load force matched to the chip size, temperature of 280oC and time of 30 min. for the sintering process, are above 22 MPa. Ag sintering bonding of the chip with backside Ag metallization to DBC substrate is exceeding 22 MPa.
Keywords: assembly, SLID technology, DBC, HEMT transistor, AlGaN/GaN/Si
Obecnie konstruowane elementy półprzewodnikowe na materiałach o szerokiej przerwie, jak np. GaN i SiC, przeznaczone dla elektroniki wysokich mocy i napięć wymagają opracowania wysokiej jakości połączeń z obudową i elektrycznych wyprowadzeń. Technologia SLID (Solid Liquid Interdiffusion) jak i technologia zgrzewania nano- i/lub mikroproszkami Ag wykorzystywane są do montażu elementów półprzewodnikowych do podłoży ceramicznych lub w obudowach metalowych. W technologii SLID wykorzystuje się zjawiska zachodzące między materiałami o wysokich temperaturach topnienia (np. Ag, Au, Cu, Ni) a materiałami niskotopliwymi (np. Sn czy In) [1- 4]. Proces SLID prowadzi się w temperaturach nieznacznie przekraczających temperaturę topnienia materiału niskotopliwego. Stopiony materiał reaguje z materiałem wysokotopliwym tworząc związki międzymetaliczne odpowiedzialne za jakość połączenia. Cechą procesu SLID opartego na Sn jest to, że można go prowadzić w temperaturach nieznacznie przekraczających temperaturę topnienia Sn (232oC), a więc w temperaturach zbliżonych do lutowania lutami opartymi na Sn (np. typu SAC). Połączenia wykonywane tą technologią cechują na ogół dobre właściwości mechaniczne, a właściwości elektryczne i cieplne zależą od typu powstających związków międzymetalicznych. Technologia zgrzewania nano- i/lub mikroproszkami Ag opiera się na dyfuzyjnym połączeniu między metalizacjami struktury półprzewodnikowej a metalizacją podłoża z udziałem warstwy proszku Ag [5-7]. Proces zgrzewania prowadzi się pod naciskiem i w wyższych temperaturach niż proces SLID, aby umożliwić wzajemną dyfuzję metali. Duża energia powierzchniowa nano - i mikrocząstek Ag pozwala na prowadzenie procesu w temperaturach nieznacznie przekraczających 300oC. W przypadku wykorzystywania tylko nanocząstek Ag temperaturę procesu można obniżyć do ok. 200oC. Wykorzystywanie w montażu podłoży DBC (Direct Bond Copper), w których ceramika alundowa pokryta jest obust [...]
Prenumerata
Bibliografia
[1] Chang T-Ch, Chang J-Y., Chung T-H. and W-Ch.Lo, Dualphase
solid-liquid interdiffusion bonding, a solution for the die
attachment of WBG, IEEE (2012), 978-1-4673-4944-4
[2] Larson A., Tolleefsen T.A., Liquid Solid Diffusion (LSD)
Bonding, IMAPS/EMPC 2017 Conf. Proc. Warsaw, Poland
[3] Kisiel R., Mysliwiec M., Solid-Liquid Interdiffusion Bonding
Based on Au-Sn Intermetallic for High Temperature
Applications, 41st International Spring Seminar on Electronics
Technology Conf. Proc. ISSE, Zlatibor (2018), 1-5
[4] Mysliwiec M., Kisiel R., Applying Sintering and SLID Bonding
for Assembly of GaN Chips Working at High Temperatures, 7th
Electronic System-Integration Technology Conference (ESTC),
Dresden (2018), 1-5
[5] Siow K.S., Are Sintered Silver Joints Ready for use as
Interconnect Material in Microelectronic Packaging?, Journal of
Electronic Materials, (2014) DOI:10.1007/s11664-013-2967-3
[6] Chua S.T., Siow K.S., Microstructural studies and bonding
strength of pressureless sintered nano-silver joints on silver,
direct bond copper (DBC) and copper substrates aged at
300oC, Journal of Alloys and Compounds, 687 (2016), 486-498
[7] Yeom J., Li C-F., Suganuma K., Sintering mechanism of
micron/submicron-size silver particles, ICEP-IAAC 2018 Proc.,
TC3-4 (2018), 121-123
[8] Lemettre S., Isac N., Hammami S., Seok S., Moulin J.,
Bosseboeuf A., Alphonse P., Detection of Liquefaction by DSC
for Cu-Sn TLP Bonding, IEEE 2018, 68th Electronic
Components and Technology Conference (ECTC), San Diego,
CA ( 2018), 568-573